北京
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国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“光检测装置和电子设备”的专利，公开号CN121464741A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，提供了一种能够在抑制暗电流产生的同时提高量子效率Qe的光检测装置。具体地，所述光检测装置，包括：半导体基板，其具有光入射在其上的第一面和位于所述第一面的相对侧的第二面；多个光电转换单元，其在所述半导体基板上形成二维阵列；像素分离结构，其形成在所述半导体基板的所述光电转换单元之间；和片上透镜，其布置在所述半导体基板的所述第一面侧，并且由两个以上所述光电转换单元共享。所述像素分离结构包括：像素间分离部，其包围所述两个以上光电转换单元的周边；和像素内分离部，其位于由所述像素间分离部包围的区域中的所述光电转换单元之间。在所述像素间分离部中布置有电导体。在所述像素内分离部中仅布置有光吸收率比所述电导体的光吸收率低的低吸收率构件。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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