陈立武预警“存储荒”续至2028 美银：库存见底引爆存储超级周期

本文为财富情报局原创

作者丨易烊铭

虽然近几日存储芯片板块在经历一段时间的持续上涨后股价受到了一定幅度的价格回调，但是关于存储迎来超级周期的共识认定并没有被丝毫削弱。

“存储荒”正在上演，而且暂时并没有缓解的迹象。

根据CNBC报道，当地时间2月3日，英特尔首席执行官陈立武在旧金山的一场人工智能峰会上表示，数据中心建设热潮持续导致存储芯片市场供需失衡，预计存储芯片短缺局面要到2028年才会有所缓解。

这意味着，存储市场至少还将遭遇2-3年的长周期库存紧张状态，价格上涨局面短期难以得到有效控制和改善。

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从卷算力到拼存储，AI革命催化存储超级新周期

一直以来，存储行业都是比较大的周期性行业。

百亿级私募希瓦资产创始人梁宏在今年1月的希瓦2026年度交流会中曾表示，存储行业过去的周期性主要是因为需求端没有特别大的快速增长，因为需求端过去最大的来源是消费电子、PC和传统服务器等一些存储需求已经形成了比较稳定的需求了，没有爆发式的需求。而供给端就会形成一个四年左右的周期，比如说大家扩产了，价格下降，下降以后，全行业利润很薄，甚至有企业亏损，再降产能，生产收缩，把库存去掉以后存储慢慢涨价，就这样形成四年左右的周期，这个周期更多的是因为供给端的变化，供给端的扩产和供给端的收缩产，产生了整个周期的大变化。

简言之，过去的存储行业主要受下游消费电子换机周期和库存周期所约束，行业周期性波动明显，呈现出“库存-涨价-扩产-过剩-跌价”的循环性周期特征，行业涨价的本质是“库存缺货”。

但是，梁宏认为，这次的存储行情显著不同，它其实并不是供给端的扩张和收缩引起的，而是因为AI时代到来迎来的新需求爆发所引起的。

360集团创始人周鸿祎也认为，AI对硬件的需求已经从算力爆发演进到了存储饥荒。现在限制AI进化的已经不全是算力本身，而是数据能不能“喂”的上去？

这是一次由AI架构变革驱动的结构性转型，从算力层延伸到存力层，AI革命带来的新的需求让存储行业迎来超级新周期，而不再是简单的周期性反弹。

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存储超级新周期展望

与英特尔陈立武对存储行业供需格局的看法几乎一致，美银在其关于存储行业研究的最新研报中预测，全球存储行业上升周期将在2026-2027年持续，形成多年增长的超级新周期。

结合当前存储芯片制造商库存与产能利用率综合来看，除去废旧闲置产能，目前DRAM和NAND晶圆厂产能利用率均处于完全利用状态。美银预计，2026年第一季度存储芯片制造商的成品芯片库存仍将处于历史低位，低于1-2个月的正常水平。

美银认为，DRAM ASP（平均销售价格）在2026年将同比增长65%，NAND ASP将同比增长53%。受ASP上涨驱动，美银预计，2026年DRAM和NAND全球销售额将从2025年的1340亿美元、810亿美元分别增长至2620亿美元、1470亿美元，分别同比增长95%、82%。

其中，DRAM销售主要由服务器（包括HBM，高带宽内存）和智能手机驱动。2026年预计服务器占DRAM销售额的40%，智能手机占28%。

NAND销售则主要由SSD（固态硬盘）和智能手机驱动。2026年预计SSD占NAND销售额的42%，智能手机占31%。

受全球大型科技公司AI算力中心建设强劲需求推动，美银认为，HBM市场规模将迎来爆发式增长，行业高景气特征明显。

美银预计，2026年HBM总市场规模将扩大至600亿美元，同比增长74%，出货量5.5 GB bn，ASP为10.9美元/GB。

而在HBM领域，韩国SK海力士（KRX: 000660）在HBM市场占据主导地位，预计2026年市场份额（按销售额计）为50%，三星电子（KRX: 005930）则为31%。