韩国团队研发出无损量子点的超精密排列技术

CINNO Research产业资讯，釜山大学与成均馆大学联合研究团队成功开发出一种新型制造技术，能够在不损伤量子点的前提下，对这一下一代显示材料进行超精密排列。该技术被评价为有望解决AR・VR 领域超高清、高可靠性微型显示器实现过程中的核心瓶颈——量子点图案化难题。

2月4 日，釜山大学宣布，电子电气工程学院卢廷均教授、化学系黄道勋教授研究团队与成均馆大学能源科学系林在勋教授研究团队通过联合研究成功开发出一种非破坏性光刻技术。该技术无需光刻胶（PR）和配体交换过程，就能实现量子点（Quantum Dot）的高精度微图案化。

量子点发光二极管（QD-LED）凭借高色纯度和溶液工艺兼容性，一直被视为下一代显示器件，但受限于无法实现超高分辨率RGB像素的图案化技术，其商业化进程屡屡受阻。传统喷墨打印技术在分辨率提升上存在天然局限，而基于光刻技术的工艺则面临量子点易受损、需经过复杂配体交换流程等问题。

为突破这些技术瓶颈，联合研究团队开发出“基于混合发光层（b-EML）的高分辨率图案化技术”。该技术无需光刻胶和配体交换步骤，就能在不损伤量子点的前提下实现精准排列。其核心原理是将量子点与空穴传输层聚合物（PVK）、光架桥剂（FPA）混合后，通过紫外线照射使聚合物选择性固化，形成三维网状结构，量子点则被稳定固定在该结构内部。通过这一过程，可仅在所需位置精准保留量子点，从而实现超高分辨率的微图案化。

特别值得一提的是，该方法并非使量子点本身固化，而是仅使周围高分子固化，因此在最大限度减少添加剂的同时，可有效防止量子点损伤。

借助这一创新技术，研究团队成功实现了单色标准下1万ppi、RGB 全彩色标准下1000 ppi以上的超高分辨率量子点图案。与传统技术相比，新图案在图案忠实度和发光特性上均实现大幅提升。应用该工艺制造的 QD-LED 器件，外部量子效率提升1.7 倍，驱动寿命延长 3 倍以上。

该技术的重大意义在于，同时解决了量子点图案化过程中材料损伤与器件性能下降的矛盾。此外，它还适用于不使用镉的铟磷（InP）基无镉量子点、银纳米颗粒等多种纳米晶体材料，预计将广泛应用于下一代显示器及各类光电子器件领域。

釜山大学卢廷均教授表示：“这是一项能够在最小化量子点损伤的同时简化工艺的通用技术，有望加速 AR・VR 用超高分辨率量子点显示器的商业化进程。”

该研究成果已发表于材料科学领域国际顶级学术期刊《先进功能材料（Advanced Functional Materials）》2 月刊，并因兼具创新性与完整性被选为封面论文，获得国际学术界的高度认可。

从左至右分别为韩釜山大学卢廷均教授、黄道勋教授，成均馆大学林在勋教授，釜山大学博士研究生李在烨、郭善美

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