北京
国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“一种基于硅烷-氮气分阶断沉积的LPCVD均一性优化工艺”的专利，公开号CN121428520A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及基于硅烷‑氮气分阶断沉积的LPCVD均一性优化工艺，包括：低温成核期：温度：530℃，压力：150Pa，SiH4：N2=1：1，时间：5min；高温生长期：温度：580℃，压力：150Pa，SiH4：N2=1：3，时间：15min；通过分阶段调整硅烷与氮气的比例，可有效提升薄膜均匀性。
天眼查资料显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本503225.6776万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息404条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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