存储双雄业绩“炸裂”背后

存储行业超级周期之下，韩国两大存储巨头双双交出了堪称炸裂的“史上最强”业绩。

1月29日，全球最大的存储芯片制造商三星电子交出了一份创纪录的成绩单——公司2025年四季度销售额达93.8万亿韩元，创单季历史新高，环比增长9%，同比增长24%；营业利润20.1万亿韩元，较上年同期的6.5万亿韩元暴增209.2%，同样刷新历史纪录；净利润为19.6万亿韩元，同比暴涨151.3%。

2025全年，三星电子实现营收333.6万亿韩元，同比增长11%；营业利润43.6万亿韩元，同比提升33%；净利润为45.2万亿韩元，同比增长31%。

就在三星电子公布最新财报前一日，其老对手SK海力士已率先公布业绩。2025年第四季度，SK海力士营收同比增长66%至32.83万亿韩元；营业利润同比增长137%至19.17万亿韩元；净利润为15.24万亿韩元，同比增长90%。2025年全年，其营收达97.15万亿韩元，营业利润达47.21万亿韩元，净利润达42.95万亿韩元，三项指标远超2024年创下的历史最高记录。

值得一提的是，单看年度营业利润，SK海力士首次实现对三星电子的反超，登顶全球存储芯片行业的“盈利新王”。

AI引爆存储业绩

SK海力士与三星电子前后脚交出另市场侧目的成绩单，主要得益于AI热潮所推动的存储芯片“超级周期”。自从2025上半年，全球存储芯片价格复苏上涨以来，其现货及合约价格便持续走高，尤其是HBM（高宽带内存）作为AI计算的核心组件，市场热度持续攀升。

这一强劲趋势直接体现在两家公司最新的财报中，以表现尤为突出的2025年第四季度来看：三星电子设备解决方案事业部（DS）在当季实现销售额44万亿韩元，同比增长46%，其中存储业务（Memory）表现尤为突出，销售额同比大幅增长62%达37.1万亿韩元，占比当季总收入近40%，是公司销售增长最为强劲的业务板块；营业利润则达到创纪录的16.4万亿韩元，较上年同期2.9万亿韩元飙升465%，环比前一季度的7万亿韩元翻了一倍有余。

三星方面在财报中表示，2025年第四季度，尽管供应能力受限，但在强劲的传统动态随机存取存储器（DRAM）需求和高带宽存储器（HBM）销售扩张推动下，存储业务仍创下季度营收与营业利润新高，“公司将盈利重心放在HBM、服务器DDR5和企业级SSD等高附加值产品上”。

而在去年9月率先完成HBM4量产准备的SK海力士，其当季创下历史最佳业绩，也是得益于HBM与服务器传统存储解决方案需求的显著提升。

2025年第四季度，SK海力士的DRAM业务营收占当季总营收比例为76%，达24.95万亿韩元，同比增长超70%，环比增长超30%。而全年来看，DRAM业务中，HBM销售额同比增长超过一倍，是该公司业绩创下历史纪录的核心引擎。SK海力士表示：“为了应对以AI为核心的市场需求转型，公司持续加强技术竞争力，扩大高附加值产品占比，通过兼顾收益性和增长性的战略实现业绩突破。”

事实上，外界对存储“双雄”业绩暴增早已预期。随着算力需求重心从训练转向推理，全球AI基础设施建设全面极速，带动了HBM需求的快速上升，而全球能独立生产这一核心组件的厂商只有三家：三星、SK海力士、美光科技。

根据市场研究机构Counterpoint Research的数据，2025年第三季度全球HBM市场的营收份额中，SK海力士占据主导地位，市场份额为57%；三星电子反超美光，拿下22%的份额，美光科技占比表现持平为21%。也就是说，三家公司合计占据全球HBM市场近100%的份额，其中两家韩国公司便接近80%，形成垄断格局。

超级周期远未见顶

两家韩国半导体巨头公布最新业绩的同时，美股科技巨头也正处于财报披露季。当地时间1月28日，Meta、微软、特斯拉三大科技巨头同日“交卷”。在最新财报中，三家公司均释放了深化AI军备竞赛的信号，正对应了三星和SK海力士的预判——随着人工智能市场从训练向推理过渡，叠加分布式架构需求的扩张，AI巨头们对HBM等高带宽存储产品的需求量将持续提升。

Meta创始人兼CEO马克·扎克伯格（Mark Zuckerberg）表示，“我们在2025年取得了强劲的业务表现。2026年，我期待推进面向全球用户的个人超级智能。”为实现这一目标，其计划以远超行业预期的资本投入构筑算力基础设施——2026年资本支出上限将达1350亿美元，近乎2025年投资规模的两倍。相关资金将重点投向支持AI模型的超大规模数据中心建设，并同步启动“Meta Compute”计划以确保长期稳定的电力供应保障。

微软在截至去年12月的第二财季的资本支出达到375亿美元，同比增长66%，不仅创下纪录，也高于分析师预期的362亿美元。

据公开报道，微软CEO萨蒂亚·纳德拉（Satya Nadella）曾在去年年底的一次访谈上提及自研芯片的逻辑，“微软的计划是，在自己模型和芯片之间建立一个闭环，赋予公司自主研发芯片的权利。”在最新财报中，纳德拉也表示，将继续加大对人工智能领域的投资，包括资金和人才，以把握未来巨大的机遇。

特斯拉创始人兼CEO埃隆·马斯克（Elon Musk）则在财报会上再次提及自建芯片工厂，“为了消除未来三四年内可能出现的瓶颈，特斯拉必须建设一个大型的半导体工厂，一座集逻辑芯片、存储芯片和封装工艺于一体的超大型芯片工厂”。

过去几个月，马斯克多次释放信号表示，特斯拉可能通过自主生产芯片来解决供应受限问题，并将其视为当前激烈AI竞赛中最关键的潜在瓶颈之一。

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询在最新研究中称，AI的创新带来市场结构性变化，数据的存取量持续扩大，除了依赖高带宽、大容量且低延迟的DRAM产品配置，以支撑大型模型参数存取、长序列推理与多任务并行运作之外，NAND Flash也是高速数据流动的关键基础元件，因此存储器已成为AI基础架构中不可或缺的关键资源，更成为云端服务供应商(CSP)的兵家必争之地。

这家机构预估，在AI服务器、高效能运算与企业级储存需求长期支撑下，DRAM与NAND Flash合约价涨势预期将延续至2027年，预计整体存储器产业产值逐年创高，2026年达5516亿美元，2027年则将再创高峰达8427亿美元，年增53%。

面对确定性的长期需求，SK海力士与三星电子正将资源重点投入高利润领域，并展开激烈的产能与技术竞赛：前者作为目前全球唯一可同时稳定供应HBM3E与HBM4的厂商，正以深化“定制HBM（Custom HBM）”合作的方式构建差异化优势，以巩固其在HBM4领域的技术领先地位；后者则力图高端HBM市场的主导权，计划在今年一季度启动HBM4交付，其中包括具有业界领先的11.7Gbps性能产品。

产能扩张方面，SK海力士计划提前实现韩国清州M15X工厂产能最大化，同时通过建设韩国半导体集群的首座工厂，确保中长期稳定的生产能力；同时公司也将推进韩国清州与美国印第安纳先进封装设施建设顺利，构建全球前后段一体化制造能力，灵活应对客户需求的变化。三星电子则计划到2026年底实现每月25万片HBM晶圆的产能，较目前的每月17万片产能提升47%。

本文源自：国际金融报