台积电（TSMC）先进封装技术详解

1. InFO (Integrated Fan-Out) — 扇出型集成封装

这是台积电最早成名、也是应用最广的技术。旨在将多个芯片集成到一个单一的高性能封装中，具有薄型化和卓越电气性能的特点。该技术于2016年推出，因被用于苹果 iPhone 的 A 系列应用处理器而享誉全球。
• 特点： 不使用硅中介层，通过 RDL（重布线层）实现互连，成本更低、厚度更薄。
• 子类型： InFO-PoP，主要将逻辑芯片与 DRAM 堆叠。
• 典型应用： 智能手机、基础网络芯片。

2. CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate) — 2.5D 封装
几乎所有高性能 AI 芯片都离不开它。它将多个芯片（如处理器和 HBM 高带宽显存）先集成在硅中介层上，再封装至基板上。通过提供海量带宽、高密度和性能优化，它支撑起强大的 AI、高性能计算（HPC）及数据中心芯片。
• CoWoS家族：
CoWoS-S： 使用硅中介层，性能最高，技术最成熟。
CoWoS-R： 使用 RDL 重布线层，兼顾成本与互连。
CoWoS-L： 结合了 LSI（本地硅互连）和 RDL 的优点，适用于超大尺寸芯片（如英伟达的 Blackwell 系列）。
• 主要客户： NVIDIA、AMD、Google、Amazon。
3. CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) — 面板级封装
它是现有 CoWoS 平台的演进版。它使用大型矩形面板代替传统的圆形晶圆，旨在提高大尺寸 AI 芯片的生产效率、产能并降低成本。
• 核心逻辑： “变圆为方”。将封装基底从传统的圆形晶圆改为巨大的方形面板，大幅提高材料利用率。
• 意义： 针对未来需求巨大的 AI/HPC 芯片，提高单位产出。英伟达被传是该技术的首批潜在客户。
4. SoIC (System on Integrated Chips) — 真正的 3D 堆叠
这是最顶端的“前端”封装技术，支持芯粒间极高密度的垂直堆叠。它通过直接键合芯片（间距小于 10μm）取消了传统的微凸块（Microbumps），从而提供更卓越的性能、更低的功耗以及更好的散热效率。
• 协同： 它通常不单独存在，而是先做 SoIC 垂直堆叠，再通过 CoWoS 或 InFO 进行水平集成。
• 应用：AMD 的 MI300 系列、部分高端 PC 和移动平台。
5. WMCM (Wafer Level Multi-Chip Module) — 晶圆级多芯片模块
这是一种先进的 2D 封装技术，旨在晶圆层面上将多个硅晶圆（如 CPU、GPU 和 RAM）集成到单个封装中。
• 特点： 在晶圆级别将 SoC 和 DRAM 进行整合，进一步优化热性能和功耗。
• 关键点： 图中指出是为 Apple A20（预计 2nm 工艺）准备的，主要针对高性能移动设备，提升散热和传输速度。