北京
国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121419259A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件的制备方法包括：提供半导体结构；半导体结构包括半导体基底和设于半导体基底上的第一极板层和第二极板层；在第二极板层背离半导体基底的一侧设置第一介质层；利用第一掩膜对第二极板层和第一介质层分别进行处理，以形成第二极板；在半导体结构上设置第二介质层；第二介质层覆盖第一极板层、第一介质层背离半导体基底的一侧表面以及第二极板的侧面；采用刻蚀工艺对第二介质层和第一极板层进行处理，以形成第一极板。该半导体器件的制备方法可以有效降低半导体器件的制备成本。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1813条，此外企业还拥有行政许可106个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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