不出所料,三星电子递交了一份“历史最强”季度营收报告:季度营收和营业利润双双创下纪录,半导体业务的利润更飙升超400%。
据韩国《朝鲜日报》、彭博社等外媒消息,1月29日,三星电子正式公布其2025年第四季度及全年业绩。第四季度单季,三星营收同比增23.8%,达到93.84万亿韩元;营业利润飙升209.2%,达到20.07万亿韩元,大幅刷新了公司在2018年第三季度创下的17.6万亿韩元的纪录。
去年全年,三星年营收增长10.87%,达到333.6万亿韩元;年营业利润增长33.3%,达到43.6万亿韩元。
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图片转自韩媒《朝鲜日报》
从不同业务划分来看,2025年第四季度,备受关注的半导体业务营收增长46.2%,达到44万亿韩元,而营业利润猛增465%,达到16.4万亿韩元,贡献了当季营业利润总额的80%。
但与半导体业务的形成对比的是,三星的家电和智能手机业务表现疲软。移动及网络部门去年第四季度的营业利润降至仅1.9万亿韩元,同比下降9.5%,环比下降超45%;而家电及电视业务继第三季度后,已连续两个季度录得亏损。
三星表示,智能手机业务的下滑是由于新款智能手机的“上市效应”减弱以及激烈的市场竞争造成的。其表示,计划通过即将推出的Galaxy S26系列,引入“智能体 AI 体验”,加强其AI智能手机的研发。同时,公司还计划通过扩大旗舰产品销售、优化资源配置以及努力加强供应链稳定性来确保持续盈利能力。
分析指出,三星半导体业务的强势表现主要由存储芯片需求激增引起。去年以来席卷全球的AI行业“淘金潮”当中,AI大模型带来的收益尚且不论,作为提供“铲子”和“靴子”的上游供应链已经享受到了这一红利。
韩媒报道称,长期以来,三星的存储半导体业务一直是行业领导者。然而,随着AI基础设施竞争的加速,三星因在HBM开发上落后,自2025年第一季度起被SK海力士超越。根据 Counterpoint Research的数据,三星在2024年第四季度仍占据DRAM市场 38% 的份额,但去年第一季度跌至34%,落后于SK海力士(36%)。为此,三星重新设计了HBM,并在去年通过向英伟达(NVIDIA)供应HBM3E实现了逆转。
一位业内人士表示,“曾经停滞的三星半导体业务已开始反弹。鉴于其巨大的产能,目前的全球存储芯片短缺将让三星直接受益。”
众所周知,去年以来,以谷歌、微软为首的美国科技巨头将上千亿美元投进AI基础设施建设,在全美各地兴建数据中心,带动高带宽存储芯片(HBM)的需求急剧上升。在盈利需求驱动下,三星和SK海力士等存储芯片制造商纷纷将更多产能分配给利润丰厚的HBM,导致主要用于消费电子产品的DRAM和NAND陷入短缺,甚至使PC和智能手机制造商面临“断供”风险。
在AI热潮方兴未艾的背景下,市场普遍预计内存的涨价趋势将持续到2026年,甚至2027年。集邦咨询最新调查认为,2026年第一季度,一般型DRAM合约价将季增55-60%。而NAND Flash合约价预计将上涨33-38%。
三星电子表示,今年计划继续优先开发面向人工智能应用的高利润产品,尤其是高带宽内存(HBM)市场的高端领域。目前正处于完成HBM4认证程序的阶段,计划2月投产。此外,三星透露,HBM订单今年已全部订满,预计2026年HBM营收将增长逾三倍。
彭博社指出,HBM4是三星、SK海力士等内存厂商的“必争之地”。英伟达发布的新一代Rubin AI平台将集成HBM4,带来大量需求。
但近期,有消息称,英伟达已将其用于Rubin平台的HBM4需求的约70%分配给SK海力士,而三星稍显落后,目前已接近获得英伟达对其最新AI存储芯片的认证。
行业研究机构Counterpoint Research预测,2026年,SK海力士将占据全球HBM4市场54%的份额,三星电子将以28%位居第三,美光科技将以18%位居第四。
行业预计,在存储芯片带动下,三星电子今年的营业利润最高可达180万亿韩元。SK证券认为,2026年三星电子的营业利润将同比增长314%,达到180万亿韩元,营业利润率达37%,利润规模和盈利能力均将创下历史新高。
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