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国家知识产权局信息显示，武汉山拓微电子有限公司申请一项名为“一种散热基板及其制备方法、半导体功率模块”的专利，公开号CN121419625A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种散热基板及其制备方法、半导体功率模块，其中，散热基板包括：导电层；绝缘层，绝缘层位于导电层的一侧；散热底板，散热底板位于绝缘层远离导电层的一侧；第一类金刚石层或第一金刚石层，第一类金刚石层或第一金刚石层位于散热底板远离绝缘层的一侧，且第一类金刚石层或第一金刚石层还位于散热底板的所有侧面；第一类金刚石层或第一金刚石层包绕散热底板。本发明可以有效提高散热基板的散热速度和散热效果。
天眼查资料显示，武汉山拓微电子有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本56000万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉山拓微电子有限公司专利信息30条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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