北京
国家知识产权局信息显示，北京中博芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种高质量增强型氮化镓外延片的制备方法”的专利，公开号CN121381165A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请提供了高质量增强型氮化镓外延片的制备方法，包括如下步骤：步骤1:提供氮化镓异质结外延结构；步骤2:在氮化镓异质结外延结构上采用脉冲式生长法制备氮化镓2D层，步骤3:在氮化镓2D层上制备P型氮化镓帽层；步骤4:在P型氮化镓帽层生长后，进行退火，得到高质量增强型氮化镓外延片。本申请通过脉冲式生长法在氮化铝镓势垒层与P型氮化镓之间生成高质量氮化镓2D层，达到缓解P型氮化镓生长面临的晶格失配和生长条件差异过大的问题；在P型氮化镓生长之后，优化退火工艺，在保证活化率的同时，消除表面退火坑，从而提升氮化镓外延片的可靠性和稳定性，进而得到表面粗糙度小、表面态密度低、无退火坑形貌的高质量增强型氮化镓外延片。
天眼查资料显示，北京中博芯半导体科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本13090.44万人民币。通过天眼查大数据分析，北京中博芯半导体科技有限公司参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息47条，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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