北京
报告作者：Dr.Jeongdong Choe Senior Technical Fellow，SVP
以美光为例，1x 制程 （19~17nm）、1y（17~14nm）、1z（16~12nm）、1α（14~11nm）、1β（13~10nm）、1γ（11~9nm？）
根据 IRDS技术路线图，EUV曝光的极限预计会到7nm左右，最后进入到3D DRAM
2025年全球需要的DRAM 容量（不含HBM）约为2000多亿Gb（bit）
1Eb=10亿Gb。
从12nm开始，陆续进入到EUV制程。
字线、位线ptich。
从密度上来说，12~13nm制程，单平方毫米已经超过430Mb。
也就是单片wafer 在良率90%情况下。可以做到3000GB以上。按照当前DDR5 单GB 1.5美金，单片wafer应该在4500美元以上。
国产来看，单位平方毫米的存储密度约为239Mb，也就是说单片wafer 超过1800GB，单片wafer价值2800美元（ 目前DDR4、DDR5价格几乎齐平）
按照长鑫单季度超过50万片投片量，单个季度收入应该可以超过15亿美元。
混合键合在HBM工艺上优势明显，但是突破难度较高
国产3D NAND 份额保持在6%左右。
从密度趋势来看，超过250层的3D NAND 密度已经超过20Gb/mm2。意味着在90%良率下，单片wafer 超过150TB。单片wafer价值量（按照0.05美元/GB价格）超过7000美元。
从制程来看，3D NAND制程平均在20~25nm制程。未来有可能接近19nm
长存从一开始就采用混合键合工艺，这也是3D NAND走向400层以上的关键技术，所以三星等希望长存授权相关技术
从技术路线来看，DRAM更依赖于EUV等先进制程工具来提高存储密度；而3D DRAM有机会缓解这一瓶颈。
NAND密度提升依赖于混合键合技术，通过堆叠的方式增加更多层存储单元，而这一技术的领导者是国产厂商。
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