2026年1月,中国科学家官宣新赛道:让芯片自己“长”出来,不跟光刻机硬刚了!
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当全球盯着3纳米光刻机抢破头,中国中科大团队却换了思路,不“刻”芯片,改让材料自己“长”电路,这招直接绕开EUV光刻机依赖,连《自然》都给了封面待遇。
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2026年1月15日,中科大张树辰团队联合美、沪两地高校,在《自然》发了研究成果,他们用二维离子型软晶格材料,靠材料生长时的内应力搞“自刻蚀”,温和条件下精准挖孔洞,再回填半导体材料,直接拼出原子级平整的异质结构,传统光刻得靠光刻机刻,这技术倒好,让材料自己“长”出电路,还解决了界面缺陷问题,晶体管电子迁移率涨了近10倍,功耗还降了,理论能摸到1纳米以下,现在多家国内半导体企业已经凑上来合作,但量产还得啃规模化生产、良率控制这俩硬骨头。
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这项技术不光绕开光刻机,还藏着更妙的点,用溶液技术搞加工,不像传统光刻那么费设备,审稿人都夸“巧妙利用了二维钙钛矿的软离子晶格特性”,等于给低维材料制备开了新窗户,以后说不定能在一块薄材料上直接“长”出密集发光像素点,连显示器件都能跟着升级,更绝的是,这不是要取代光刻机,而是多了条路,别人啃光刻机的骨头,咱们抱“自生长”的西瓜,等于给中国芯片产业加了道保险。
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其实这技术的底层逻辑挺反直觉:传统芯片是“刻”出来的,相当于拿刀在材料上雕花,咱这是“养”出来的,像种花一样让材料自己长成想要的样子,这种“顺势而为”的思路,恰恰戳中了美国技术封锁的软肋,你卡我光刻机,我换个赛道玩,还玩出了新范式,未来要是能解决量产问题,不光芯片,连发光器件、显示面板都能跟着沾光,等于在半导体领域开了个新赛道。
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不过这事也不能太乐观,虽然实验室成果亮眼,但从“长”出样品到批量造芯片,中间差着十万八千里,规模化生产得保证每块材料都“长”得一模一样,良率控制更是老大难,万一有个材料“长歪”了,整个晶片可能就废了,现在企业刚启动合作,离真正用上还得等几年。
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有人说“别人啃光刻机,咱们种芯片,脑洞可以落地再看”,这话在理,但换个角度想:要是都跟在别人后面啃光刻机,哪来的新突破,咱这“种芯片”的思路,本质是用创新绕开壁垒,哪怕现在还没落地,至少给行业指了条新活路。
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其实咱普通老百姓也能沾光,以后手机芯片说不定更省电,显示屏幕更清晰,还不用被国外卡脖子,这种“换道超车”的事,看着就提气,别总盯着别人的光刻机,咱自己的“自生长”赛道,说不定哪天就成了全球标杆。
这事你怎么看?
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