北京
国家知识产权局信息显示，兴华芯（绍兴）半导体科技有限公司申请一项名为“一种利用光刻曝光参数补偿基于AIMS的掩膜误差的方法”的专利，公开号CN121348666A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种利用光刻曝光参数补偿基于AIMS的掩膜误差的方法，包括以下步骤：S10，获取AIMS检测阶段的误差信息，所述误差信息包括误差参数及其对应的误差量及缺陷位置；S40，根据所述误差量确定所述缺陷位置的曝光参数调整量，并得到调整后的曝光参数；S50，使用调整后的曝光参数完成光刻得到晶圆，量测缺陷位置的误差，将量测结果与所述误差量进行对比，确定补偿是否有效，如果补偿无效，则返回步骤S40，重新调整缺陷位置的曝光参数，直至补偿有效。通过本发明可以补偿AIMS阶段掩模误差导致的缺陷，继而提高产品良率。
天眼查资料显示，兴华芯（绍兴）半导体科技有限公司，成立于2022年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本165000万人民币。通过天眼查大数据分析，兴华芯（绍兴）半导体科技有限公司参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可8个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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