北京
国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“一种用于eSTM闪存器件的选择栅形成方法”的专利，公开号CN121357887A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请公开了一种用于eSTM闪存器件的选择栅形成方法，包括：提供一衬底，在衬底上沉积第一刻蚀膜层；在第一刻蚀膜层中定义出第一沟槽图形；基于第一刻蚀膜层，进行多次刻蚀工艺，以在衬底中形成十字交叉的第一沟槽；对第一沟槽进行氧化物填充工艺，得到十字交叉的浅沟槽隔离结构；对衬底的有源区进行离子注入工艺；在衬底上沉积第二刻蚀膜层；通过光刻和刻蚀工艺，在第二刻蚀膜层上定义出第二沟槽图形，第二沟槽图形覆盖所有沿第一方向延伸的浅沟槽隔离结构；基于第二刻蚀膜层，刻蚀位于第二沟槽图形下方的浅沟槽隔离结构和衬底，形成栅沟槽；对位于栅沟槽底部的衬底进行离子注入工艺；填充栅沟槽，得到选择栅结构。
天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目376次，专利信息160条，此外企业还拥有行政许可229个。
华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1969条，此外企业还拥有行政许可117个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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