北京
国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“一种半导体器件和制备方法”的专利，公开号CN121335148A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请提供了的半导体器件，在生长源极结构(150)和漏极结构(160)的时候，是对第一次外延生长的结构进行刻蚀，然后在刻蚀后的侧壁上继续进行第二次外延生长最终才获得源极结构(150)和漏极结构(160)。通过对第一次外延生长的第一外延层(140)进行刻蚀，一方面可以获得光滑的侧壁，另一方面使得第二次外延生长时可以在刻蚀后形成的第一结构(141)的侧壁上外延生长，从而使得最终生长的源极和漏极内部不会出现空洞等其他缺陷，保证了源极和漏极的生长质量，从而保证整个器件的特性。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1704个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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