【counterpoint】晶圆代工12月跟踪；2025年国产手机SoC生产约50kk，9030<3k

根据Counterpoint Research这份2025年12月的报告，其核心观点可以总结为以下几点，遵循了原文的逻辑结构：

1. 先进封装格局转变：EMIB-T成为关键替代方案

• 驱动因素：为应对台积电CoWoS产能的严重短缺和集中于台湾的地缘政治风险，云服务提供商（CSP）正寻求替代方案。

• 解决方案：英特尔EMIB-T 技术通过使用局部硅桥而非全尺寸中介层或RDL，提供了高性能替代方案，能降低超过30%的封装成本，并绕过CoWoS的供应瓶颈。

• 市场影响：亚马逊、Meta、谷歌等巨头的下一代AI ASIC项目（如Trainium 3, MTIA 4, TPU v9e）正在积极评估或采用“台积电逻辑芯片 + 英特尔封装”的混合模式。但这仍处于设计验证阶段，大规模量产和收入贡献预计要到2027年。

• 复苏动力：得益于台积电先进制程的产能紧张带来的订单外溢，以及HBM4/HBM4E对逻辑基板芯片的强劲需求（三星内存与晶圆代工业务协同效应）。

• 各节点展望：

• • SF2（2nm）：逐步爬坡，主要依靠内部Exynos（如Galaxy S26用Exynos 2600）和特斯拉AI5等外部项目，显著贡献将在2026年底至2027年。

  • SF4/5（4/5nm）：成为利用率支柱，需求来自HBM基板芯片、三星中端手机SoC和高通低端AP。

  • 8nm：需求稳定，主要受英伟达为任天堂Switch 2定制的T239 SoC 驱动，该节点在成本敏感的领域仍有生命力。

• 技术进展：海思麒麟9030系列采用中芯国际N+3（约6nm） 工艺，性能接近台积电6nm，但在没有EUV光刻机的情况下，依靠DUV多重曝光导致良率较低（约20-30%），限制了旗舰芯片出货量（2025年预计仅1-3百万片）。

• 未来挑战：由于EUV缺位和研发复杂性增加，中芯国际难以维持年度工艺迭代。N+4（约5nm）工艺很可能推迟至2027年推出。2025年麒麟芯片总出货约5000万片，主要靠中端麒麟8000系列驱动。

• 资本支出：预计2026年资本支出将增长15-25%，达到480-520亿美元，主要用于扩张N2/N3产能和海外（如亚利桑那州）工厂建设。

• 产能规划：

• • N2（2nm）：需求强劲，客户群（苹果、高通、联发科、英特尔、AMD）广于同期N3。产能预计2026年底达65-70K WPM，2027年底达110-120K WPM。

  • N3（3nm）：需求持续，英伟达Rubin平台等将采用。产能将继续扩张。

• 整体趋势：受AI芯片强劲需求推动，2026年全球晶圆代工价格预计将个位数同比增长。

• 主要厂商：

• • 台积电：先进节点（N2-N5）产能持续紧张，预计价格上涨3-5%。成熟节点（6-90nm及8英寸）为维持利用率，可能提供2-3%的折扣。

  • 三星：先进节点（2/4/5nm）利用率提升，预计价格上涨5-10%。

  • 中国厂商（中芯国际、华虹）：受国内补贴政策和支持性需求推动，已在2025年下半年将8英寸晶圆价格上调5-10%，2026年焦点转向利润提升。

  • 其他台湾厂商（联电、世界先进、力积电）：供需情况各异，部分节点价格也将上涨。