北京
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“具有反掺杂注入物的非易失性存储器及其制造方法”的专利，公开号CN121284964A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本公开涉及具有反掺杂注入物的非易失性存储器及其制造方法。根据本公开的各种实施例，提供了一种电可擦除且可编程的非易失性存储器设备的存储器单元。在一些实施例中，存储器单元包括源极区、漏极区、沟道区、控制栅、浮栅和反掺杂注入物。浮栅包括突出部分，该突出部分通过绝缘层的第一区域与沟道区分离，第一区域比绝缘层的第二区域薄，第二区域将浮栅的一个或多个剩余部分与沟道区分离。注入物在沟道区中位于绝缘层的第一区域下方。注入物与沟道区相比被较少P掺杂，或者被足够轻地N掺杂以使得当电压在擦除操作期间被施加时，注入物反转为P掺杂。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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