北京
国家知识产权局信息显示，北京中博芯半导体科技有限公司申请一项名为“二极管芯片、发光二极管、设备和二极管芯片的制造方法”的专利，公开号CN121262953A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本申请提供了一种二极管芯片、发光二极管、设备和二极管芯片的制造方法，应用于半导体技术领域。该二极管芯片包括支撑层、有源层、p型接触层、电子阻挡层和n型接触层，有源层设置在支撑层沿第一方向的一侧的第一区域，p型接触层设置在支撑层沿第一方向的一侧的第二区域，p型接触层与有源层接触，电子阻挡层设置在有源层背离支撑层的一侧，n型接触层设置在电子阻挡层背离有源层的一侧。本申请实施例提供的二极管芯片，不仅可以提高进入有源层的p型载流子的数量，同时可以降低进入有源层的n型载流子的数量，从而可以提高有源层中p型载流子和n型载流子的对称性，提高二极管芯片的发光效率。
天眼查资料显示，北京中博芯半导体科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本13090.44万人民币。通过天眼查大数据分析，北京中博芯半导体科技有限公司参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息45条，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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