北京
国家知识产权局信息显示，重庆平伟实业股份有限公司申请一项名为“源极异质结接触的半导体结构、器件及制造方法”的专利，公开号CN121038350A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种源极异质结接触的半导体结构、器件及制造方法，该半导体结构包括：栅极结构、体区结构、源极结构，以及漏极结构，所述源极结构包括多晶硅源极接触层；所述栅极结构包围所述体区结构，所述体区结构中设有源极接触区域，所述多晶硅源极接触层通过所述源极接触区域与所述源极结构相接触，以与所述源极结构形成异质结二极管，所述异质结二极管为所述半导体结构的续流二极管，所述漏极结构位于所述体区结构背向所述栅极结构的一侧；该半导体结构可以是SiC MOSFET结构，能够大大降低SiC MOSFET续流时的反向导通压降，减小导通损耗及开关时带来的损耗。
天眼查资料显示，重庆平伟实业股份有限公司，成立于2007年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本15096万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆平伟实业股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目51次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息222条，此外企业还拥有行政许可55个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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