山东
摘要：
在晶圆化学机械抛光（CMP）后表面残留的颗粒杂质，需高效清洗以确保后续工艺质量。邦普化学Texent FA-31T1非离子表面活性剂对颗粒污垢具有强清洗能力，能高效清洗晶圆表面的颗粒物，保障晶圆表面高洁净度。
关键词：
单晶硅晶圆清洗、化学机械抛光（CMP）、研磨粉清洗、表面活性剂FA-31T1、硅片清洗
在晶圆的制造过程中，化学机械抛光（CMP）作为关键的表面平整化工艺，加工后晶圆表面往往会残留大量如研磨粉、硅粉之类的颗粒杂质。所以，高效清洗对于保障晶圆加工的顺利推进而言，成为了至关重要的环节。
针对CMP后晶圆表面的颗粒污染问题，清洗剂配方中表面活性剂至关重要。邦普化学的FA-31T1非离子表面活性剂对粉末颗粒污垢具备极强的清洗能力，能够有效降低颗粒与晶圆表面的黏附力，显著提高清洗体系的去污性能。在实验测试中，FA-31T1对颗粒污垢的清洗能力显著高于其他常用表面活性剂，用于晶圆研磨清洗中同样表现出明显优势。并且，当添加量仅为其他表面活性剂添加量的1/2时，它同样能展现出更优异的清洗效果。
将FA-31T1添加到清洗剂体系中，能够显著提升清洗剂的去污效果。特别是在超声波或兆声波清洗工艺里，借助声波空化效应和微射流作用的协同效应，可高效剥离并分散表面附着的颗粒污染物，同时防止杂质再次沉积，确保晶圆表面达到高洁净度标准。
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