林毅夫：ASML担心中国三年就能掌握光刻机技术，自己将被赶出市场

全球半导体产业格局中，光刻机作为核心设备，一直是技术竞争的焦点。荷兰ASML公司凭借极紫外线技术垄断高端市场，一台设备集成上万部件，售价超过亿美元，依赖国际供应链。

2021年时，美国出口管制已开始影响中国获取先进型号，推动本土企业从深紫外线起步，逐步构建产业链。

这种外部压力转化为内部动力，中国通过国家项目集结资源，上海微电子等机构分工协作，光源、镜头和工作台等关键部件实现初步国产化，投资规模达数百亿元，旨在提升自给率。

林毅夫在2021年5月北京举办的企业发展论坛上，引用ASML首席执行官彼得·温宁克的观点，指出如果不向中国出售光刻机，中国可能在三年内独立掌握这项技术。那时，中国产品成本更低，市场竞争力强，ASML面临退出风险。

这一表述基于温宁克2021年4月媒体访谈，原话强调禁售会刺激中国自研，并在十五年内实现全面制造，但林毅夫结合中国创新速度，将其调整为三年，突出本土潜力。

从中微半导体进入金属有机化学气相沉积设备领域的案例看，中国企业快速降低价格，从数千万降至几百万，打破垄断，这与光刻机路径相似，先从中低端切入，积累经验。

分析这一担忧，ASML的技术优势在于极紫外线系统，能处理7纳米以下工艺，涉及德国光学和日本材料，中国若突破，将重塑供应链。

林毅夫强调，中国成本控制源于规模效应和资源整合，产品成熟后价格可降至国际水平的三分之一。过程包括逆向工程和迭代优化，中国从90纳米设备起步，2023年商业化，与ASML旧款相比，国产版本模块化设计更灵活，维修效率高。推进方式通过联盟形式，数百家企业参与，从材料提纯到系统调试，每步缩短周期，与之前进口依赖不同，自给率从20%升至部分领域过半。

进一步看，林毅夫的观点触及产业自主化本质。外部限制加速中国研发，2024年测试28纳米浸没式深紫外线设备，供应商提供稳定光源，处理数百片晶圆，缺陷率控制在低位。对比ASML，中国路径注重本土材料，使用率达70%，成本仅一半。

更新换代从硬件调整到算法融入，AI辅助曝光路径，提升效率15%。这一逻辑源于历史经验，如圆珠笔钢珠从进口到年产数十吨，覆盖全球需求，光刻机类似，先解决兼容性，镜头反射率提至95%，然后整机组装。

ASML的市场份额依赖中国订单，占销售额三成以上，若本土设备取代，收入将锐减。林毅夫以中微为例，全球价格下行20%，光刻机若成功，效应放大。

中国从深紫外线过渡到极紫外线，采用激光诱导放电技术，波长控制在13.5纳米，样机指标接近国际。2025年二季度试产计划，与2014年ASML水平相当，但通过工艺积累缩小差距。不同在于，中国研发环境密集，迭代速度快，资金倾斜上千人团队，模拟运行万次，优化参数。

林毅夫的三年预判考虑中国速度，高铁从引进到领先仅十年。光刻机领域，AMIES科技2025年推出激光退火设备，针对后端市场，精度相当但价格低。推进通过数据反馈，每批测试调整缺陷率至1%以下。与ASML一体化对比，中国模块可换，适应多种芯片类型。

继续分析，温宁克担忧源于意识形态冲突，但中国市场巨大，十四亿人口支撑需求。2025年一季度，ASML中国占比36%，公司预计全年增长15%。中国稀土管制反击，卡住供应链，氦气依赖降至5%。这些措施增强自主能力，江苏企业扩至多家，投资扩展。

林毅夫强调，掌握技术后，中国将主导终端市场。过程从基础研究到应用，效率高。EUV样机2025年4月测指标，接近国际，但ASML新任负责人克里斯托夫·富凯2024年底称中国落后10至15年，主要缺极紫外线。

中国停在65纳米，但通过多重曝光弥补，良率升至82%。高盛报告指落后20年，但中国注重成熟芯片，占全球三分之一。

林毅夫预判合理，突破在即。中国投资扩，增强能力。

2025年进展持续，试产推进，市场投资扩展。

参考资料
荷兰ASML光刻机市场遇冷 订单腰斩凸显困境 中华网