在 AI 大模型训练与推理需求爆发、全球云服务商(CSP)加速数据中心基建的背景下,服务器内存(Server DRAM)作为核心算力支撑组件,市场供需格局正发生显著变化。市场研究机构 TrendForce 于 10 月 29 日发布的最新报告指出,第四季度 Server DRAM 合约价格已进入稳步上升通道,其中 DDR5 内存涨势尤为突出;更关键的是,随着需求结构与产能分配的调整,DDR5 有望在 2026 年实现盈利能力首次超越 HBM3e,标志着服务器内存市场将迎来新的竞争格局。
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一、Q4 Server DRAM 合约价强势上行,CSP 扩容成核心驱动力
TrendForce 强调,第四季度 Server DRAM 价格的上涨并非偶然,而是全球云服务商持续加码数据中心投资的直接结果。当前,亚马逊 AWS、微软 Azure、谷歌 Cloud 等头部 CSP 为支撑 AI 业务扩张,正大规模部署高性能服务器集群 —— 这类服务器不仅需要 HBM(高带宽内存)满足高算力需求,更需搭配足量 DDR5 内存实现数据缓存与协同计算,直接拉动了 Server DRAM 的订单需求。
从市场动态来看,当前 Server DRAM 合约价的上涨呈现两大特征:
供应商报价意愿显著增强:由于 CSP 订单量同比增幅达两位数,三星、SK 海力士、美光等主流 DRAM 供应商对第四季度合约价的报价较三季度提升明显,且不愿轻易让步 —— 此前市场担忧的 “价格协商拉锯” 并未出现,反而因需求端的强劲支撑,买方对涨价的接受度有所提高。
价格预期大幅上调:TrendForce 已将第四季度传统 DRAM(含 Server DRAM 与消费级 DRAM)价格增长预期从原先的 8%-13% 上调至 18%-23% ,且明确表示 “不排除进一步上调的可能”。这一调整不仅反映 Server DRAM 的强势表现,更预示着整个 DRAM 市场已告别此前的下行周期,正式进入上行通道。
值得注意的是,Server DRAM 在此次涨价中扮演了 “领头羊” 角色。相较于消费级 DRAM(如 PC 内存)需求的温和复苏,Server DRAM 因直接绑定 AI 与云计算的核心需求,增长确定性更强,成为驱动整体 DRAM 市场回暖的核心引擎。
二、2026 年格局反转:DDR5 利润将超 HBM3e,供需逻辑生变
TrendForce 对 2026 年服务器内存市场的预测,揭示了 DDR5 与 HBM3e 之间的 “利润交叉点”—— 这一变化将深刻影响供应商的产品策略与市场竞争格局。
1. DDR5 需求:HPC 转型 + 单台配置升级,支撑价格长期上涨
2026 年 DDR5 的盈利优势,将主要来自需求端的持续扩容:
HPC 平台加速渗透:全球 CSP 正从传统通用服务器向高性能计算(HPC)服务器过渡,以适配大型 AI 模型的训练与推理需求。这类服务器对内存带宽与容量的要求更高,而 DDR5 凭借比 DDR4 更优的性能(带宽提升 50% 以上),成为 HPC 服务器的主流选择,直接拉动 DDR5 位元需求增速。
单台服务器内存配置翻倍:以 AI 服务器为例,2023 年单台 AI 服务器平均内存配置约为 128GB,2026 年预计将提升至 256GB 以上 —— 部分高端机型甚至会搭载 512GB DDR5,以配合 HBM 实现 “高带宽 + 大容量” 的协同,这使得 DDR5 的总需求规模远超此前预期。
结构性供给紧张延续:尽管 DRAM 供应商会逐步扩产,但 DDR5 产能释放节奏仍滞后于需求增长,加上 HBM 与 DDR5 共用部分生产设备(如晶圆厂),2026 年 DDR5 仍将处于 “供给偏紧” 状态,为价格上涨提供支撑。
与 DDR5 的强劲势头形成对比的是,HBM3e 在 2026 年将面临增长压力:
市场竞争日趋激烈:2024-2025 年,三星、SK 海力士、美光将陆续扩大 HBM3e 产能,同时长江存储等中国厂商也在加速 HBM 技术突破,导致 HBM3e 市场从 “寡头垄断” 向 “多玩家竞争” 转变,价格议价权逐步向买方倾斜。
买方库存水平健康:当前 CSP 对 HBM 的采购更趋理性,不会像 2023 年那样 “超额备货”,而是根据 AI 业务推进节奏按需下单,库存周转效率提升,进一步抑制了 HBM3e 的涨价空间。
价格优势收窄:TrendForce 数据显示,截至 2025 年第二季度,HBM3e 价格仍为 DDR5 的 4 倍以上;但到 2026 年,随着 DDR5 价格上涨、HBM3e 价格下滑,两者价差将大幅缩小,最终导致 DDR5 的单位盈利能力反超。
由于 HBM3e 与 DDR5 共用晶圆厂的部分产能(如先进制程工艺、封装测试设备),当 DDR5 的利润优势显现后,供应商的产能分配策略将直接影响 2026 年服务器内存市场的走向。
TrendForce 分析认为,供应商可能采取两大核心策略:
产能向 DDR5 倾斜:在利润驱动下,三星、SK 海力士等厂商可能会适当减少 HBM3e 的产能占比,转而增加 Server DDR5 的投入 —— 尤其是针对高容量 DDR5(如 64GB、128GB 模组),这类产品因适配 HPC 服务器,溢价能力更强,能进一步放大利润空间。
调整 HBM3e ASP 以平衡利润:为避免 HBM 业务利润过度下滑,供应商可能会通过 “技术升级”(如推出更高带宽的 HBM3e 版本)或 “差异化定价”(针对高端 AI 客户提供定制化服务)来维持平均销售价格(ASP),试图在 DDR5 与 HBM3e 之间找到利润平衡点。
这一博弈的最终结果,将决定 2026 年 Server DRAM 市场的价格波动幅度与产品结构 —— 若产能倾斜过度,可能导致 HBM3e 短期供给紧张;若 HBM3e ASP 调整得当,则有望实现 “DDR5 与 HBM3e 共同增长” 的格局。
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亿配芯城:助力企业应对 DRAM 市场波动,保障供应链稳定
面对 Server DRAM 市场的上行周期与产品格局变化,企业在采购 DDR5、HBM3e 等内存组件时,不仅需要精准判断价格走势,更需保障供应链的稳定性与选型的合理性 —— 而亿配芯城作为国内专业的电子元器件分销与技术服务平台,正成为企业应对市场挑战的重要伙伴。
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