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金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“包括水平半导体沟道的三维存储器设备及其形成方法”的专利，公开号CN120323097A，申请日期为2024年05月。
专利摘要显示，一种形成三维存储器设备的方法包括：在衬底上形成绝缘层和半导体材料层的交替堆叠；以及穿过该交替堆叠形成横向绝缘电极结构和介电隔离柱结构的横向交替序列。该横向绝缘电极结构的至少一部分各自包括存储器膜和字线电极。
本文源自：金融界
作者：情报员
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