新 闻1:三星正在争取英伟达2nm订单,用于生产下一代GPU
近日三星在韩国首尔举行的SAFE 2025活动上,三星表示1.4nm工艺从2027年延后至2029年量产,计划将重点放在2nm制程节点,希望通过优化2nm工艺的性能和能耗表现,提高良品率,使其更适合业界使用。同时还展示了第三代2nm工艺,称为“SF2P+”,打算两年内推出。
据Wccftech报道,三星正在积极地为2nm工艺寻找客户,其中就有英伟达,将2nm工艺用于下一代GPU,包括消费端及AI加速器使用的芯片。随着近期三星生产Nintendo Switch 2中使用的芯片,逐渐赢回英伟达的信任。由于台积电(TSMC)产能有限,加上价格昂贵,芯片行业迫切需要另一个解决方案,而三星半导体制程技术路线图的转变似乎来得正是时候。
现在最大的问题仍然三星在2nm工艺上的良品率,这也是其过去几年丢失大量先进工艺代工订单的主要原因之一。以目前的情况来看,如果今年三星能稳步提高2nm工艺的良品率,那么有望在今年年底前达到适合量产的标准。
高通在更早之前就开始与三星就2nm订单进行了谈判,目标是生产第二代骁龙8至尊版,已经在进行测试。传闻第二代骁龙8至尊版芯片有两个版本,基本版本采用台积电3nm工艺,另外一个则采用三星SF2工艺。
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哥你回头看看我,我比隔壁台积电便宜多了!三星和NVIDIA其实算是老合作了,但也是被坑过的,想当年30系真的很惨,产能爬坡也慢,3090也是唯一一款被AMD打赢了的XX90显卡,不知道有三星的多少锅。
不过现在这个全面领先的NVIDIA,可能确实不在意这点问题了,毕竟对手怎么都是打不过的,更重要的是更低的成本赚更多的钱,还倒真有可能再回头用这便宜的三星代工。
新 闻 2: 台积电准备新一代CoPoS封装技术,最快2028年末量产,英伟达或是首个客户
近年来,台积电(TSMC)除了积极投资先进制程节点,以保证竞争优势外,还逐步加大了在封装技术方面的投入力度,以满足新一代人工智能(AI)和高性能计算(HPC)芯片的需求。英伟达首席执行官黄仁勋曾表示,台积电可以提供非常先进的封装技术,暂时没有其他选择。
据TECHPOWERUP报道,台积电正在准备新一代CoPoS(Chip-on-Panel-on-Substrate)封装技术,可以将基板尺寸扩展到310 × 310 mm甚至更大。新技术就是将中介层“面板化”,属于现有CoWoS-L和CoWoS-R的方形面板演进,将传统的圆形晶圆替换为矩形基板。
台积电计划2026年建造一条CoPoS试点生产线,2027年将重点改进工艺,以便满足合作伙伴的要求。台积电计划2028年年底至2029年年初实现CoPoS的量产工作,位于中国台湾嘉义的AP7工厂由于现代化的基础设施和宽敞的空间而被选中,成为CoPoS先进封装技术的生产中心。
与FOPLP(扇出型面板级封装)一样,CoPoS(基板上面板芯片封装)也采用大型面板基板进行封装,不过两者存在一些差异。FOPLP是一种不需要中介层的封装方法,芯片直接重新分布在面板基板上,并通过重分布层(RDL)互连。这种方法具有成本低、I/O密度高、外形尺寸灵活等优势,适用于边缘AI、移动设备和集成密度适中的中端ASIC等应用。CoPoS则引入了中介层,从而有着更高的信号完整性和稳定的功率传输,对于集成GPU和HBM芯片的高端产品来说效果更好。同时中介层材料正从传统的硅变为玻璃,将提供更高的成本效益和热稳定性。
预计未来CoPoS将取代CoWoS-L,而英伟达很可能会是首个合作伙伴。
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但是代工可能省钱,先进3D封装工艺的钱省不掉,台积电给挖的坑一个又一个啊。目前最先进的CoWoS封装就是台积电独有的技术,现在下一代先进封装CoPoS也即将问世了,据传将在2028年进行生产。台积电的目标客户之一就是NVIDIA,现在也是CoWoS的大客户,看来新产品的成本也不会低呀……
新 闻3: 由于High-NA EUV需求下降,投资机构下调了ASML的目标股价
2023年末,ASML向英特尔交付了首台High-NA EUV光刻机,型号为TWINSCAN EXE:5000的系统。业界普遍认为,High-NA EUV光刻技术将在先进芯片开发和下一代处理器的生产中发挥关键作用。不过这种情况最近似乎发生了变化,各个晶圆代工厂都在减少对High-NA EUV依赖,并且延后引入新技术的时间。特别是最近来自英特尔董事的发言,让市场对High-NA EUV的前景产生了更多的疑问。
据Wccftech报道,近期有投资机构开始下调了ASML的目标股价,从每股795欧元降至759欧元,意味着每股收益将减少大概5%,原因就是High-NA EUV需求放缓,同时也调低了ASML在2026年和2027年的收益预期。不过对ASML股票的评级并没有改变,仍坚持“买入”评价。
按照那位不愿意透露姓名的英特尔董事的说法,新的晶体管设计,比如如GAAFET和CFET,可以降低光刻机在芯片制造过程中的重要性。这些设计是从四面“包裹”栅极,芯片制造商将更多地关注通过蚀刻来去除多余材料,而不是增加晶圆在光刻机上花费的时间来减小特征尺寸。随着芯片制造中横向方向的重要性日益增加,High-NA EUV的重要性相比于EUV就没那么重要了。
从长远来看,人工智能(AI)浪潮带动了芯片产业的发展,投资机构对ASML产品的长期需求仍保持乐观,因为这些芯片普遍采用最新的半导体制造技术,市场对光刻设备的需求仍处于上升趋势。
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不光是需求下降,事实上,从最初交付到现在一年多,根本没有使用High-NA EUV量产的芯片,近期Intel也表达了High-NA EUV光刻技术短期内的非必要性。目前看来,这种言论的影响还是不小的,投资机构下调了ASML的目标股价,High-NA EUV光刻技术的前景也变得扑朔迷离,ASML到底会怎么样呢?
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