北京
金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“放大器的版图结构、放大器阵列的版图”的专利，公开号CN120236625A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种放大器的版图结构、放大器阵列的版图，该放大器的版图结构包括：第一反相器和第二反相器，第一反相器的输出端和第二反相器的输入端均与位线电连接，第一反相器的输入端和第二反相器的输出端均与参考位线电连接，第一反相器中的NMOS管与第二反相器中的NMOS管均处于第一有源区，第一反相器中的PMOS管与第二反相器中的PMOS管均处于第二有源区。这样，由于放大器中的NMOS管均处于同一个有源区(第一有源区)、放大器中的PMOS管也均处于同一个有源区(第二有源区)，从而保证位线和参考位线的周围具有相同的器件环境，避免放大器的特性失配，保证放大器的放大能力稳定，进而提升了存储器的性能。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息437条，此外企业还拥有行政许可34个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
