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二维杂化钙钛矿因其优异的光电特性引发了广泛的研究兴趣。钙钛矿半导体在太阳能电池、发光二极管和探测器等领域表现突出，但其在场效应晶体管（FET）中的应用仍面临挑战。
本综述德国马克斯·普朗克聚合物研究所Tomasz Marszalek和波兰罗兹理工大学Wojciech Pisula等人重点介绍了二维锡卤化物钙钛矿FET的最新进展，探讨了其晶体结构、薄膜形成和载流子传输机制，并总结了提升器件性能的工程策略。尽管锡基钙钛矿具有较高的载流子迁移率，但其易氧化和快速结晶等问题限制了器件性能。
通过优化有机阳离子、添加剂、掺杂和溶剂工程等方法，可以显著改善FET的性能和稳定性。最后，本文展望了二维锡卤化物钙钛矿FET的未来发展方向。
研究亮点
高性能与低毒性：二维锡卤化物钙钛矿是一种具有高载流子迁移率的无铅材料，有望替代传统铅基钙钛矿，解决毒性问题。
工程策略优化：通过有机阳离子设计、添加剂调控、溶剂工程等方法，显著提升了薄膜质量和器件性能，最高迁移率可达9.35 cm² V⁻¹ s⁻¹。
稳定性突破：引入疏水性有机间隔阳离子和界面修饰技术，有效抑制锡离子氧化，大幅提高了器件在空气中的稳定性。
S. Wang, Z. Ling, P. W. M. Blom, T. Marszalek, W. Pisula, Engineering Strategies for 2D Layered Tin Halide Perovskite Field-Effect Transistors. Adv. Funct. Mater. 2025, 2501217.
https://doi.org/10.1002/adfm.202501217
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