北京
金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体套刻图形及套刻精度测量方法”的专利，公开号CN120178610A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体套刻图形及套刻精度测量方法。半导体套刻图形包括衬底及位于衬底上的当层套刻图形，前一层套刻图形及前二层套刻图形；前一层套刻图形与当层套刻图形沿衬底的厚度方向上具有间距；前二层套刻图形与当层套刻图形及前一层套刻图形沿衬底的厚度方向上均具有间距；其中，当层套刻图形，前一层套刻图形及前二层套刻图形均为中心对称图形，前一层套刻图形的正投影与前二层套刻图形的正投影错位排布。上述半导体套刻图形无需通过逐层测量，通过单次测量即可获取多层之间的套刻精度，提升产品的流通效率，降低生产成本。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1832次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1184条，此外企业还拥有行政许可192个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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