北京
金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，昕原半导体（上海）有限公司申请一项名为“非易失性两端存储部、制造方法及相关产品”的专利，公开号CN120187271A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本披露公开了一种非易失性两端存储部、制造方法及相关产品，所述非易失性两端存储部包括下电极、上电极和转换层，所述转换层设置在所述下电极和上电极之间，所述转换层至少包括第一区域、第二区域以及分别与所述第一区域和所述第二区域接触的第一过渡区；其中，所述转换层具有局部高电场区，所述局部高电场区位于所述第一过渡区，所述第一过渡区的厚度小于第一区域的厚度和第二区域的厚度；其中，沿着从上电极到下电极的方向上，所述第一区域的投影与所述第二区域的投影至少具有重叠区域。通过本披露的方案，能够使得导电细丝形成的位置具有一定的规律性，从而能够降低存储器的存储单元之间的差异性。
天眼查资料显示，昕原半导体（上海）有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本4653.6715万人民币。通过天眼查大数据分析，昕原半导体（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息113条，此外企业还拥有行政许可2个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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