金融界2025年5月21日消息,国家知识产权局信息显示,安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基半导体激光器的外延结构”的专利,公开号CN120016292A,申请日期为2025年02月。
专利摘要显示,本发明提出了一种氮化镓基半导体激光器的外延结构,包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层,下波导层与下限制层之间设置有第一狄拉克量子隧道层,所述第一狄拉克量子隧道层具有热膨胀系数分布特性、Si/Mg元素比例分布特性和In/Si元素比例分布特性。
天眼查资料显示,安徽格恩半导体有限公司,成立于2021年,位于六安市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析,安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目4次,财产线索方面有商标信息2条,专利信息477条,此外企业还拥有行政许可12个。
本文源自:金融界
作者:情报员
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