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金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基半导体激光器的外延结构”的专利，公开号CN120016292A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提出了一种氮化镓基半导体激光器的外延结构，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，下波导层与下限制层之间设置有第一狄拉克量子隧道层，所述第一狄拉克量子隧道层具有热膨胀系数分布特性、Si/Mg元素比例分布特性和In/Si元素比例分布特性。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息477条，此外企业还拥有行政许可12个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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