北京
金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“调节栅极高度的方法及半导体结构”的专利，公开号 CN119997594A，申请日期为 2025年1月。
专利摘要显示，本发明提供了一种调节栅极高度的方法及半导体结构，属于半导体领域。该调节栅极高度的方法包括提供一半导体基底。回刻所述NMOS区域的硬掩膜层，以减薄NMOS区域的硬掩膜层的厚度。回刻之后，分别在所述PMOS区域和NMOS区域形成栅极结构。填充介质层，所述介质层将所述NMOS区域的栅极结构覆盖。图案化沟槽，并在所述PMOS区域刻蚀沟槽，对所述PMOS区域刻蚀沟槽时，PMOS区域硬掩膜层损失的厚度与回刻所述NMOS区域硬掩膜层损失的厚度基本相等。本发明通过通过沉积硬掩膜层，并对硬掩膜层进行回刻，PMOS区域的硬掩模层与NMOS区域的硬掩模层的厚度基本相等，从而使得形成的PMOS区域的栅极与NMOS区域的栅极的高度基本相等，能够提高器件的性能。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目696次，专利信息105条，此外企业还拥有行政许可12个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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