北京
金融界2025年4月24日消息，国家知识产权局信息显示，吉安伊戈尔磁电科技有限公司申请一项名为“一种低压双层层式绕组结构及变压器”的专利，公开号CN119811862A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明涉及变压器技术领域，特别涉及一种低压双层层式绕组结构及变压器，其中，低压双层层式绕组结构包括内纸筒、内层绕组、若干个油道撑条、绝缘筒和外层绕组；若干个油道撑条设置于内层绕组和外层绕组之间，每个油道撑条背离内层绕组的一面沿自身厚度方向均开设有搭接槽，绝缘筒搭接于若干个油道撑条的搭接槽，且油道撑条对应搭接槽的槽壁与绝缘筒的侧面贴合；搭接槽对应内层绕组的击穿风险区和外层绕组的击穿风险区设置。本发明有效减小外层绕组的幅向尺寸，减少线圈用量，降低生产成本，解决了现有双层层式绕组结构的外层绕组幅向尺寸过大，导致线圈用量大，生产成本高，且整体绕组结构占用空间大，导致变压器尺寸增大的技术问题。
天眼查资料显示，吉安伊戈尔磁电科技有限公司，成立于2018年，位于吉安市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本15000万人民币。通过天眼查大数据分析，吉安伊戈尔磁电科技有限公司参与招投标项目11次，专利信息250条，此外企业还拥有行政许可8个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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