北京
金融界 2025 年 4 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“一种基于 SONOS 工艺的 MOS 电容制作方法”的专利，公开号 CN 119743959 A，申请日期为 2023 年 9 月。
专利摘要显示，本发明提供一种基于 SONOS 工艺的 MOS 电容制作方法，提供半导体结构，半导体结构包括 SONOS 单元区、MOS 电容区和其他器件区域；在半导体结构上形成栅氧层，栅氧层覆盖 SONOS 单元区、MOS 电容区和其他器件区域；去除 SONOS 单元区以及 MOS 电容区上的栅氧层；在其他器件区域上的栅氧层以及 SONOS 单元区、MOS 电容区上形成 ONO 膜层；刻蚀去除其他器件区域上的 ONO 膜层，保留 SONOS 单元区、MOS 电容区上的 ONO 膜层。本发明的方法使得 MOS 电容区保留 ONO 膜层，基于需求对 SONOS 电容做写入操作以提高 MOS 电容自身阈值电压，降低电容在积累区的工作电压,极大的提高 MOS 电容的耐压特性；通过对 SONOS 进行擦除动作将 NMOS 电容的阈值电压改变为负值，使得 NMOS 电容可工作强反区，同时上下级板电压可实现变换。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币，实缴资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2077次，专利信息2254条，此外企业还拥有行政许可343个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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