北京
金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“预测光刻工艺中最佳焦深的方法”的专利，公开号 CN 119739010 A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本申请提供一种预测光刻工艺中最佳焦深的方法，本申请基于透光程度合格的光刻材料层，获取某一光刻制程下的参照晶圆的最佳焦深作为基准焦深，并根据基准焦深以及参照晶圆上的光刻材料层的第一厚度和目标晶圆上形成的光刻材料层的第二厚度，预测相同光刻制程下的不同目标晶圆的最佳焦深，只需在参照晶圆光刻制程中做一次 FEM，后续相同光刻制程下的不同目标晶圆可以通过预测获取最佳焦深，提高了后续相同光刻制程下的不同目标晶圆的光刻工艺窗口的评估速度，提高了光刻效率，大大节省了人力物力。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元，实缴资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2915次，专利信息1589条，此外企业还拥有行政许可117个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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