北京
金融界2025年3月26日消息，国家知识产权局信息显示，浙江摩珂达半导体有限公司申请一项名为“基于深度学习的低电阻高耐压性能预测方法及其系统”的专利，公开号CN 119670522 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，基于深度学习的低电阻高耐压性能预测方法及其系统，包括：对SiC DMOSFET器件的结构建模；构建了一个数据集；构建集基于CNN的神经网络预测模型；将训练集数据输入到预测模型中；通过计算损失函数，评估模型预测值与实际值之间的差异；将测试集数据输入预测模型，评估其预测准确率及泛化能力，满足要求的模型即可用于SiCMOSFET器件电学特性预测。本发明准确快速地预测SiC DMOSFET器件的击穿特性和正向导通特性，解决了传统基于仿真软件研究SiC DMOSFET器件特性方法存在的耗时长，效率低、受人工因素影响大等问题，拓展了SiC功率器件预测实施的可能性。
天眼查资料显示，浙江摩珂达半导体有限公司，成立于2024年，位于嘉兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江摩珂达半导体有限公司财产线索方面有商标信息15条，专利信息2条。
本文源自：金融界
作者：情报员
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