广东
在现代集成电路制造中，正光刻胶（Positive Photoresist）是绝对的主流选择，尤其在先进制程（如 28nm、16nm、7nm 及以下）中，绝大多数关键层都使用正光刻胶。
1. 分辨率与线宽控制
正胶的成像原理
正胶经过曝光后会发生分子链断裂，曝光区域更易溶于显影液，最后留在晶圆表面的是“未曝光区域”。
这种方式最显著的优势之一是分辨率高，能够在更短波长（例如 193nm 甚至 EUV 13.5nm）下成像出更细微的线宽，满足纳米级器件制造需求。
负胶的分辨率极限
对于负胶，被曝光的区域会发生交联或硬化而残留，分辨率通常不及正胶；其在微纳级以下的细节表现力有限，难以满足先进制程小线宽的要求。
在要求不高或宏观线宽较大的情形（如 MEMS、显示面板大图形加工）中，负胶仍有一些应用，但并不适合先进CMOS工艺核心层的极精细图形。
光源匹配性
光刻胶与光源波长紧密关联。自 i线（365nm）、KrF（248nm）到 ArF（193nm）再到 EUV（13.5nm），正胶的配方与分子设计不断演进，形成了完善的材料体系与成熟的工艺窗口。
负胶也能针对部分波长进行设计，但在主流工艺设备和工艺线中，正胶有着更好的生态体系和量产验证。
高分辨率需求的推动
芯片制程从微米跨入纳米时代后，对光刻胶的感光度、分辨率、工艺容忍度等要求越来越严苛。成熟的正胶材料可配合多重曝光、浸没式光刻等工艺，持续延伸至 7nm、5nm 等技术节点。
正胶负显影（PTD）
在先进制程（16nm/14nm 及以下）中的通孔和金属层，出现了将“正胶”配合“负显影液”的反向显影工艺。
其基本思路是：对正胶进行曝光后，使用特殊配方的负显影液溶解未曝光的区域，最终留下的是曝光过的图形。
这一反向操作能在某些工艺层中得到更高的图形对比度和更好地控制沟槽尺寸，进一步印证正胶体系的灵活性与拓展性。
负胶的应用局限
在标准 CMOS 流程中，若需做大面积掩蔽层或粗线宽结构，负胶偶尔也会被考虑。但在工艺的最关键层和先进线宽环节，正胶仍是主力。
负胶工艺窗口窄、图形边缘控制不如正胶精细，大规模推广受到限制。
- 分辨率
：能够实现更窄线宽，更适合先进制程。
- 材料配方成熟
：在主流光源（i线/193nm/EUV）都有完善的正胶家族，产业链与设备配套成熟。
- 工艺可扩展性
：正胶通过多重曝光、浸没式光刻以及负显影等改进手段，能够满足日益微缩的线宽要求。
- 应用范围广
：无论是逻辑工艺（CPU、GPU）还是存储器（DRAM、NAND）等，对高分辨率和高套准精度的需求都使得正胶成为首选。
综上所述，在集成电路制造领域，正光刻胶因为其高分辨率、稳定的材料体系以及灵活的工艺扩展性，已成为从微米级到深亚纳米级线宽所普遍采用的主流方案。负光刻胶虽然在某些特定领域或较粗线宽的应用中仍然可见，但在先进 CMOS 制程中所占的比重相对很小，难以撼动正胶的主导地位。
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