北京
金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“形成隔离槽的方法、半导体器件的制备方法及工艺设备”的专利，公开号 CN 119342820 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本申请提供了一种形成隔离槽的方法、半导体器件的制备方法及工艺设备，其中，该形成隔离槽的方法包括：在堆叠结构上形成掩膜层，使掩膜层的掩膜开口暴露堆叠结构的部分区域；堆叠结构包括叠层结构和沿第一方向贯穿叠层结构的多个存储柱，第一方向为叠层结构的厚度方向；交替循环刻蚀位于堆叠结构的暴露区域中的叠层结构和存储柱，以形成隔离槽。本方案可以去除隔离槽内的存储柱，使隔离槽将堆叠结构完全分隔成多个存储区，有利于提高存储密度和存储容量。
天眼查资料显示，北京北方华创微电子装备有限公司，成立于2001年，位于北京市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本114153.708311万人民币，实缴资本114153.708311万人民币。通过天眼查大数据分析，北京北方华创微电子装备有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目1000次，知识产权方面有商标信息36条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可339个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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