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据 Business Korea 报道，韩国技术巨头三星正在大幅削减其芯片制造投资。 2025 年的开始标志着 2 纳米芯片制造时代的到来，然而根据今天的报道，三星已决定专注于 2 纳米和下一代 1.4 纳米制造工艺，而不是扩大用于制造 5 纳米和其他技术产品的现有生产线的产量。
该报道推测，产量低和订单减少是三星缩减投资的原因，因为该公司已决定将重点放在下一代产品上。 韩国公司投资的减少使全球领先的最大合约芯片制造商台湾台积电的市场份额增加。
三星在芯片产量方面的挣扎是媒体在芯片制造方面讨论最广泛的话题之一。 目前，代工厂正在生产 3 纳米产品，而三星已率先宣布在 2022 年生产这种先进的芯片产品。 这次投产标志着大规模生产之前的早期阶段，三星向一家设计加密货币矿机的中国公司交付了 3 纳米芯片。
这家韩国公司当时正在争夺芯片技术的领先地位，其最新的投资周期似乎也是围绕这一战略展开的。 据《韩国商业》报道，三星晶圆厂将在 2025 年投资 5 万亿韩元用于芯片生产，比 2024 年的 10 万亿韩元减少 50%。
尽管英伟达（NVIDIA）等公司对人工智能产品的蓬勃需求扩大了三星等芯片制造商的可寻址市场，但投资额仍有所下降。
详情显示，三星最新的芯片制造支出将集中在其位于华城和平泽的工厂。 华城工厂生产 3 纳米芯片，这笔资金将用于将这些生产线转换为生产下一代 2 纳米芯片。 低产量影响了三星的代工产量，多家媒体报道称，质量问题也影响了该公司最新的 3 纳米芯片。
苹果公司的智能手机、平板电脑和笔记本电脑都使用了这种技术生产的芯片，因此全球对 3 纳米芯片的需求量很大。 其他用户还包括高通公司和其他智能手机公司。
三星平泽工厂将专注于下一代 1.4 纳米芯片制造工艺。 作为试生产的一部分，该工厂将被指定每月生产多达三千片 1.4 纳米晶片。 预计三星还将为其位于德克萨斯州泰勒的芯片生产基地划拨部分资金。
与老式芯片制造技术相比，2 纳米产品采用了更新的晶体管设计，旨在减少漏电流并提高效率。 三星的 2 纳米芯片将采用全栅极（GAA）架构，而台积电的产品将采用纳米片状晶体管。 预计这两家公司将于今年在其位于台湾和韩国的工厂开始大规模生产这些产品。
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