北京
金融界 2025 年 1 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“MOS 管有效沟道长度测试方法及装置”的专利，公开号 CN 119297099 A，申请日期为 2024 年 9 月。
专利摘要显示，本发明提供一种 MOS 管有效沟道长度测试方法及装置，属于半导体制造技术领域。该方法应用于 MOS 管测试结构，所述 MOS 管测试结构包括：多个 MOS 单元，每一个 MOS 单元包括衬底、源极、漏极和栅极，所述源极和所述漏极分别设置于所述衬底上，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述衬底与所述栅极之间设置有隔离氧化层；其中，各个 MOS 单元共用一个衬底，各个 MOS 单元的栅极长度不同，相邻两个 MOS 单元共用源极或漏极。在测试时只需一组测试结构单元即可测试有效沟道长度，大大提高了测试效率，减小了测试结构所占据空间。
天眼查资料显示，北京智芯微电子科技有限公司，成立于2013年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本641018.943287万人民币，实缴资本641018.943287万人民币。通过天眼查大数据分析，北京智芯微电子科技有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目3436次，知识产权方面有商标信息109条，专利信息2644条，此外企业还拥有行政许可8个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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