北京
随着全球新能源汽车、人工智能、光伏及储能等新兴市场的蓬勃发展，高性能功率器件的需求呈现出前所未有的增长态势。在这一背景下，2025年1月8日于珠海金湾工厂京东方华灿与晶通半导体签署了合作备忘录，共同致力于宽禁带半导体之氮化镓（GaN）功率器件的研发与量产，以创新驱动行业发展，满足市场日益增长需求。
京东方华灿与晶通半导体合作备忘录签署仪式
作为半导体行业的佼佼者，京东方华灿与晶通半导体均拥有深厚的行业积淀和技术实力。此次合作，双方将充分发挥各自在技术研发、生产制造及市场拓展等方面的优势，共同推动GaN功率器件技术的革新与应用。
京东方华灿专注于氮化物半导体领域，其氮化物专利布局位居全球前列，具备优异的运营管理能力，一直致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务。晶通半导体在GaN技术领域深耕多年，拥有GaN HEMT、GaN SBD、Smart-GaN®、Smart-Driver® IC的设计能力，以及基于AI机器学习的动态测试技术平台。通过此次合作，双方将整合各自资源，共同打造高性能、高可靠性的GaN功率器件，以满足消费类、AI数据中心、车用、光伏及储能等新兴市场的多元化需求。
晶通总裁刘丹、首席科学家马俊博士等参观京东方华灿金湾工厂
京东方华灿与晶通半导体将携手推进GaN技术持续创新，不断提升器件性能与可靠性，共同探索新的器件设计、工艺技术和材料应用，以降低成本、提高生产效率；在生产制造方面，晶通半导体将依托京东方华灿先进的生产设备和工艺，提升产品品质和竞争力。双方始终以终端客户需求为导向，加强在生产管理、质量控制等方面的合作，确保GaN功率器件的稳定供应，推动GaN功率器件成本持续降低，加速GaN功率器件大规模商业化应用。
展望未来，京东方华灿与晶通半导体将继续秉持创新引领、质量为本的发展理念，共同推动GaN功率器件技术革新与进步。双方将深化合作，加强交流，共同打造行业新生态，为全球客户提供更加优质的GaN功率器件产品和服务。
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