北京
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金融界2025年1月9日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“基底中具有嵌设熔丝结构的半导体元件结构”的专利，公开号CN 119255602 A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一基底、一熔丝结构以及一第一字元线。该熔丝结构包括一熔丝电极，设置在该基底内。该第一字元线电性耦接到该熔丝结构。该第一字元线设置在该基底内，并与该熔丝结构的该熔丝电极间隔开。该熔丝电极具有一侧表面，朝向该第一字元线突伸。
本文源自：金融界
作者：情报员
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