金融界2024年5月3日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法“,公开号CN117979686A,申请日期为2022年10月。
专利摘要显示,本公开实施例涉及半导体技术领域,提供一种半导体结构及其制造方法,半导体结构包括:沿第一方向排布的晶体管和位线;晶体管包括:沿第二方向延伸的栅极结构,以及沿第二方向具有相对的第一端和第二端的半导体通道;位线与第一端接触连接,且位线沿第三方向延伸;下电极层,与第二端接触连接,下电极层包括:沿第二方向延伸的第一区,以及均沿第一方向延伸的第二区和第三区,第一区连接第二区和第三区,第三区与第二端接触连接,第二区与位线沿第一方向正对,且位线和下电极层之间具有间隔。本公开实施例至少有利于在提高半导体结构的集成密度的同时,提供一种新型的下电极层,以提高半导体结构整体的电学性能。
本文源自金融界
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