近日，联电发布公告称，针对美国司法部指控联电协助福建晋华窃取美光科技DRAM生产技术一案，联电持续跟美国司法部商讨可能的解决方案，期望在最短的时间得出最终结论。
目前，联电和美国司法部各自向法院提出解决方案相关的建议量刑信函，该方案包含请求法院处以较轻的罪名及罚金6000万美元，但尚未得到法院核准，预期近日将开庭审理此案。
如果联电、福建晋华与美光能够达成和解协议，对三方都是利好。
诉讼已持续三年
这场官司的源头，还要追溯到三年前，2017年底，美光在加州联邦法庭起诉联电和福建晋华，称联电通过美光的员工窃取其知识产权，包括存储芯片的关键技术，并交由福建晋华；
2018年1月，联电开始反击，向福州市人民法院递交诉状，控告美光在DRAM以及固态硬盘等存储产品涉嫌侵害联电大陆公司的专利，此举导致美光26种芯片产品在国内遭到禁售；
2018年底，美国司法部再以经济间谍等罪起诉联电、福建晋华、何某、王某，以及曾任中国台湾美光总经理、联电副总、福建晋华总经理陈正坤等人，一旦相关罪名成立，包括陈正坤等被起诉人将面临最高15年有期徒刑及500万美元罚款；另外，此案还涉及窃取营业秘密罪，涉案人面临最高10年有期徒刑。
由于窃取知识产权和商业机密向来都会面临严厉处罚，XTAL在2019年曾被判赔偿8.45亿美元给ASML，若联电和福建晋华的被控罪名一旦成立，则将面临最重超过200亿美元（约人民币1333亿元）的天价罚款，因为美光宣称其被窃取的营业秘密估计约为4-87亿美元。
在2018年10月底，美国商务部就已将福建晋华列入实体清单，并禁止其从美国供应商购买重要的半导体设备和材料，随后欧美设备商撤离，福建晋华投资60亿美元的存储芯片项目停产。
今年6月，联电被控协助福建晋华窃取美光DRAM生产技术一案，中国台湾法院对涉案人做出判罚，对涉案的戎某、何某和王某分别判罚4.5年-6年的有期徒刑，联电则被判罚约合人民币2390万元的罚金，此外对福建晋华前总裁陈正坤进行另案调查。
在已经被判罚的情况下，6月24日，美国旧金山法院发出通缉令，拟正式逮捕陈正坤，王某、何某三人。
如今，历时三年的诉讼终于有了积极信号，联电协商到营业秘密刑事案件，和解金6000万美元，业内人士分析，对比此前相关案件的判决，这个数字差不多。
福建晋华和联电的关系
福建晋华与长江存储、合肥长鑫被称为国内三大内存基地，长江存储主要生产3D NAND闪存，长鑫和晋华则以DRAM内存作为突破口，三大基地总投资规模预计超过5000亿。
福建晋华成立于2016年2月，三家中最早，存储芯片项目采取与联电合作研发模式，2017年，DRAM业界老将，联电副总陈正坤出任福建晋华总经理，协助建厂，至于陈正坤来到大陆建厂的原因，他本人曾做出回应，一方面是由于当年瑞晶被美光收购这件事对他冲击非常大，自主研发DRAM技术也一直是他的梦想。
自2018年底美国断供福建晋华设备之后不久，就传出联电退出福建晋华的消息，当时传出福建晋华研发团队中，已有近百名技术人员回流华邦电等大厂，近期联电发布的财报中，关于福建晋华的项目投入已经停止了，同时把相关的费用全部列在财报中，合计为2300余万美元，意味着目前联电已经从福建晋华撤走。
福建晋华何去何从？
对联电而言，顶多也就是拍拍屁股走人，但对福建晋华、国产存储芯片而言，则是重大打击，目前福建晋华项目已经停滞，就算未来美光与联电、福建晋华达成和解协议，福建晋华能否从美国实体清单中移除仍是未知数，投资60亿美元的芯片项目该何去何从？
国产存储芯片要突围，真正难的不在技术，而在相关专利都被国际大厂所垄断，要避开现有的专利搞研发，才是真正的困难，福建晋华是个例子；
目前长江存储、合肥长鑫都已量产，接下来还会不会有类似的情况发生还不好说，近期有外媒报道，合肥长鑫、长江存储可能是美国下一目标，从专利来说，合肥长鑫已买下德国奇梦达（曾第二大DRAM公司）的技术，问题不大，主要是在半导体设备方面，对美国还有依赖，在美国全面限制中国科技企业的大背景下，都是未知数。
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