北京
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据TrendForce集邦咨询最新预估，第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。
TrendForce集邦咨询表示，由于原厂担忧后续出现HBM产能排挤效应，以三星（Samsung）来看，HBM3e产品采用1alpha制程节点，至2024年底将占用1alpha制程产能约六成，进一步排挤DDR5供给量，尤其以第三季HBM3e生产即将放量的时间点影响最大，经评估后买方转而愿意第二季提前备货，应对第三季起可能出现HBM供应短缺。
同时，随着节能成为AI推理服务器（AI Inference Server）优先考量，北美云端服务业者（CSP）扩大采用QLC Enterprise SSD作为存储的解决方案，带动QLC Enterprise SSD需求，并加速部分供应商的库存去化，推动部分供应商出现惜售心态。值得注意的是，受限于消费性产品需求复苏情况不明朗，故原厂普遍对于非HBM晶圆产能的资本支出趋于保守，尤其是价格仍处于损益平衡点的NAND Flash。
本文来源：网易财经
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杨斌_NF4368
