北京
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国家知识产权局信息显示，积亚半导体股份有限公司申请一项名为“碳化硅半导体制程对准标记及其制造方法”的专利，公开号CN122662684A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本发明提供了一种碳化硅半导体制程对准标记及其制造方法，其中，碳化硅半导体制程对准标记形成在碳化硅基板上的碳化硅外延层中，其包括至少沟槽结构及离子注入界面。至少沟槽结构设置在碳化硅外延层中，并且离子注入界面设置在至少沟槽结构的底部。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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