臻宝科技申请送粉装置相关专利，该装置可防粉体团聚，保障粉体混合性能

来源：新浪证券-红岸工作室

8月29日消息，国家知识产权局信息显示，重庆臻宝科技股份有限公司申请一项名为“一种防粉体团聚气溶胶送粉装置”的专利。申请公布号为CN122648929A，申请号为CN202610909448.8，申请公布日期为2026年8月28日，申请日期为2026年6月23日，发明人郑洋、常梓勋、杨潇枭、刘全、曾德强、陈立航、蒋晓钧，专利代理机构重庆鼎慧峰合知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师杨云川，分类号C23C24/04。

专利摘要显示，本发明提供一种防粉体团聚气溶胶送粉装置，包括气溶胶发生室和混合机构，混合机构包括机架、驱动机构、混合罐、第一传动组件和添料机构。通过驱动机构驱动安装架往复摆动，并通过第二传动组件驱动档杆间歇的敞开排料槽，使气相氧化铝粉末间歇投入氧化钇粉末原料中，有效避免气相氧化铝粉末一次性加入产生的自团聚，便于使气相氧化铝粉末在氧化钇粉末表面实现均匀单颗粒包覆，混合均匀，提高静电抑制效果，同时，混合罐往复摆动和转动进行无轴翻滚搅拌，可降低静电的产生，避免气相氧化铝粉末粘轴、团聚，提高气相氧化铝粉末的利用率，且无强剪切，不会导致气相氧化铝粉末在氧化钇粉末原料表面均匀包覆后被再次打散，确保混合粉体的性能稳定性。

臻宝科技是国内泛半导体真空腔体零部件领域领先企业，依托核心技术壁垒为集成电路、显示面板行业提供关键工艺零部件及表面处理解决方案。公司成立于2016年2月25日，于2026年6月24日登陆上海证券交易所，注册及办公地点均位于重庆市。

臻宝科技主营业务为专注于为集成电路及显示面板行业客户提供制造设备真空腔体内参与工艺反应的零部件及其表面处理解决方案，所属申万行业为电子-半导体-半导体材料，同时覆盖国家大基金持股、百元股、大基金概念相关概念板块。

2026年上半年，臻宝科技实现营业收入4.84亿元，在28家同行业企业中排名第18位，低于行业平均数11.68亿元与行业中位数6.26亿元，同期行业营收头部企业有研新材、雅克科技分别录得61.58亿元、45.13亿元；当期公司实现净利润1.07亿元，行业排名第9位，显著高于行业平均数5833.35万元与行业中位数5637.14万元，行业净利润前两位企业雅克科技、江丰电子分别为6.37亿元、4.72亿元。从业务结构来看，泛半导体零部件贡献营收4.02亿元，占比83.08%，表面处理服务实现营收7942.93万元，占比16.43%，其他业务营收237.02万元，占比0.49%。

业务板块营收规模（万元）营收占比泛半导体零部件83.08%表面处理服务16.43%其他0.49%

重庆臻宝科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种硅单晶生长方法发明专利公布CN202610980466.52026-07-02CN122543162A2026-08-11王鹏、王雪、杨佐东2一种防粉体团聚气溶胶送粉装置发明专利公布CN202610909448.82026-06-23CN122648929A2026-08-28郑洋、常梓勋、杨潇枭、刘全、曾德强、陈立航、蒋晓钧3一种氮化铝陶瓷及其烧结方法发明专利公布CN202610888654.52026-06-18CN122562553A2026-08-14谭翠、陈超、陈立航、蒋晓钧4一种陶瓷造粒粉均化设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610757077.62026-05-29CN122424896A2026-07-21明亿希、马俊、王虓虎、陈立航、蒋晓钧5一种可配比陶瓷浆料混合设备发明专利公布CN202610751897.42026-05-28CN122424754A2026-07-21杨光、沈灿、陈立航、蒋晓钧6一种静电卡盘键合胶水调配器发明专利实质审查的生效、公布CN202610681282.92026-05-18CN122298259A2026-06-30林莹环、陈立航、蒋晓钧7一种热电偶、制备方法及静电卡盘发明专利公布CN202610668524.02026-05-15CN122612091A2026-08-21谭翠、陈超、陈立航、蒋晓钧8一种黑石英蚀刻液及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202610631004.22026-05-09CN122381818A2026-07-14何桥、王燕清、余倩、王文彬、杨佐东9一种半导体硅电极微孔的蚀刻预清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610396942.92026-03-30CN122373715A2026-07-10王燕清、何桥、王文彬、杨佐东10一种蚀刻设备碳化硅零部件CVD-MTS分模式再生方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610363073.X2026-03-24CN122327178A2026-07-03张仁浩、杨佐东、杜宗伟、张文平11一种单晶硅片滑移线检测系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610353737.42026-03-23CN122282794A2026-06-26王廷波、刘森宇、杨佐东12一种新型的气溶胶分散装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511931937.52025-12-19CN121715271A2026-03-24王皓杰、潘倩、刘恒豪、陈立航、曾德强、蒋晓钧13一种重掺单晶硅氧碳含量检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511882395.72025-12-15CN121703038A2026-03-20王廷波、杨佐东14静电卡盘内部缺陷检测方法、装置、终端及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511788999.52025-12-01CN121595695A2026-03-03卿钺媛、陈立航、蒋晓钧、曾德强15一种机械振动辅助气溶胶制备装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511591569.42025-11-03CN121103268A2025-12-12郑洋、潘倩、王皓杰、曾德强、陈立航、蒋晓钧16一种离子辅助气溶胶沉积陶瓷薄膜涂层的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511506471.42025-10-21CN121344584A2026-01-16王皓杰、潘倩、常梓勋、杨潇枭、陈立航、曾德强、蒋晓钧17一种氮化铝陶瓷流延浆料、高延伸率氮化铝陶瓷生坯带及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511415332.02025-09-30CN121270255A2026-01-06王宏宇、许红豆、王明菊、陈立航、蒋晓钧、曾德强18一种复合涂层的制备方法及其装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511410090.62025-09-29CN121293016A2026-01-09杨潇枭、肖永宝、常梓勋、郑洋、曾德强、陈立航、蒋晓钧19氮化铝基复合陶瓷的金属化浆料、其制备方法及氮化铝基复合陶瓷发明专利实质审查的生效、公布CN202511378912.72025-09-25CN121318547A2026-01-13许红豆、王宏宇、陈立航、蒋晓钧、曾德强20一种提高不锈钢表面疏水性的处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511222225.62025-08-29CN121046828A2025-12-02王怀志、张迎春、蒋晓钧、陈立航21半导体刻蚀设备用变压器耦合等离子体窗及其制备方法发明专利授权CN202510580257.72025-05-07CN120453149B2026-05-15何桥、张杰、王文彬、杨佐东22一种石墨纯化装置发明专利专利申请权、专利权的转移、实质审查的生效、公布CN202510391315.12025-03-31CN120252355A2025-07-04张昊斌23一种用于氧化钇材料制程中缺陷的鉴定方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510164428.82025-02-14CN119985374A2025-05-13陈虹利、陈立航、曾文厚、蒋晓钧24一种水基全合成切削液沉降性测试装置及测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411992989.92024-12-31CN119780051A2025-04-08纪鑫玉、陈立航、蒋晓钧25一种抑制氧化钇涂层氧空缺的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411602558.72024-11-11CN119465004A2025-02-18王明菊、陈虹利、曾文厚、陈立航、蒋晓钧26一种低粗糙度的氧化钇涂层的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411602561.92024-11-11CN119465005A2025-02-18谯敏、陈虹利、曾文厚、陈立航、蒋晓钧27一种单晶硅环表面低粗糙度的碱刻试剂及清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411332176.72024-09-24CN119221119A2024-12-31王燕清、陈立航、蒋晓钧28硅料熔融方法、高品质单晶硅棒及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411227053.72024-09-03CN119121373A2024-12-13王鹏、杨佐东29粉体撞击速度监测系统、方法、喷涂系统及涂层制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411068982.82024-08-06CN118980618A2024-11-19肖永宝、谢迎春、谭敏、郑洋、陈立航30一种电荷辅助的气溶胶沉积装置、喷涂系统及涂层制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411047797.02024-08-01CN118976615A2024-11-19肖永宝、谢迎春、谭敏、郑洋、陈立航31一种真空沉积设备用真空腔室及其制备方法发明专利公布CN202410966176.62024-07-18CN118875312A2024-11-01肖永宝、谢迎春、谭敏、郑洋、陈立航32一种陶瓷涂层封孔检测方法及气密性检测装置发明专利公布CN202410904249.92024-07-08CN118882949A2024-11-01陈虹利、陈立航33一种切削液泡沫量的测试方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202410650871.12024-05-24CN118583822A2024-09-03刘诗珂、王燕清、纪鑫玉、陈立航34气溶胶沉积系统粉体撞击速度测试系统、方法、喷涂系统及喷涂方法发明专利实质审查的生效、著录事项变更、公布CN202410535812.X2024-04-30CN118443540A2024-08-06肖永宝、谭敏、谢迎春、陈立航35碱性蚀刻制绒溶液的添加剂及包含其的制绒液发明专利授权、公布CN202410300757.62024-03-15CN118127642B2024-11-01王燕清、杨佐东、陈立航36一种J-R型静电卡盘及其制备方法与应用发明专利授权、公布CN202410242674.62024-03-04CN118186332B2024-09-13吴昊、李宗泰、杨佐东、郑宣37一种高致密化氧化铝陶瓷及其制备方法与应用发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202410214523.X2024-02-27CN118047593A2024-05-17许红豆、胡梓钊、陈立航38高固含量氧化铝陶瓷造粒粉及其制备方法发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202410217766.92024-02-27CN118145969A2024-06-07许红豆、胡梓钊、陈立航39一种氧化铝陶瓷及其制备方法与应用发明专利授权CN202410214525.92024-02-27CN118047594B2025-10-28许红豆、胡梓钊、陈立航40一种用于大直径硅片分割的夹具发明专利授权CN202311730106.22023-12-15CN117584306B2026-07-21王鹏、周倩、杨佐东41一种用于硅单晶生长的水冷套发明专利实质审查的生效、公布CN202311136599.72023-09-05CN116926673A2023-10-24王鹏、周倩、杨佐东42一种硅环斜面加工工装发明专利授权、公布CN202310995271.42023-08-09CN116766092B2025-09-16李善维、杨伟、郭朋飞、杨佐东、陈立航、郑宣43一种耐高温的耐等离子刻蚀薄膜的制备方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310711449.82023-06-15CN116695046A2023-09-05贺邦杰、陈立航、周岩、宗学森、杨佐东、郑宣44一种水浴升温加快SiC电化学机械抛光速率的装置及方法发明专利授权、公布CN202310668261.X2023-06-07CN116516459B2025-07-29陈鸿钰、陈立航、杨佐东、郑宣45一种用于单晶硅的碱性蚀刻方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310521031.02023-05-10CN116403894A2023-07-07黄世果、陆宏刚、龙泽吉、杨佐东、陈立航、郑宣46一种耐等离子蚀刻硅橡胶及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310410618.42023-04-18CN116376293B2024-02-06屈麟峰、陈立航、杨佐东、郑宣47CVD法再生过程解决SiC边缘环界面和应力的方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310390772.X2023-04-13CN116411252A2023-07-11陈鸿钰、陈立航、杨佐东、郑宣48一种降低氧化铝陶瓷板材孔隙率的成型装置发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310342317.22023-04-03CN116117963B2023-11-07杨光、陈立航、杨佐东、郑宣49一种高性能耐等离子刻蚀薄膜及其制作方法发明专利发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布CN202211719102.X2022-12-30CN115896673A2023-04-04贺邦杰、陈立航、郑宣50一种硅环抛光设备发明专利授权CN202211524602.82022-12-01CN115741426B2026-05-26廖光洪、陈立航、屈麟峰