北京
国家知识产权局信息显示，华虹集成电路（成都）有限公司申请一项名为“改善SONOS Flash产品中TUN区域返工加剧侧掏的方法”的专利，公开号CN122662210A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明公开了一种改善SONOS Flash产品中TUN区域返工加剧侧掏的方法，其中：提供含有选择管区域和控制管区域的半导体结构；在所述半导体结构的表面先利用六甲基二硅氮烷进行处理，再生长底部抗反射涂层；在所述底部抗反射涂层BARC上旋涂光刻胶PR，光刻胶打开控制管区域以形成TUN区域。本发明在半导体器件上生长底部抗反射涂层之前进行六甲基二硅氮烷HMDS处理，新增加的HMDS处理可以增加底部抗反射涂层与光刻胶以及底部抗反射涂层与氧化层之间的黏附性，改善了光刻返工后湿法刻蚀造成的侧掏缺陷，明显地减弱了湿法刻蚀采用的缓冲氧化物刻蚀液对STI处氧化层造成的侧掏，提升了TUN区域BOE窗口，增加了工艺的稳定性。
天眼查资料显示，华虹集成电路（成都）有限公司，成立于2023年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2280000万人民币。通过天眼查大数据分析，华虹集成电路（成都）有限公司参与招投标项目177次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息72条，此外企业还拥有行政许可132个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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