作为新一代显示技术的主流方向之一,MicroLED凭借高亮度、长寿命的突出特性在多场景展现出广阔应用潜力,而要充分释放其技术优势,既需要高效识别像素级缺陷的检测能力,也需要精准评估器件长期性能的品控方案,电致发光光谱测量仪NovaLum依托成熟的EL成像技术,能很好地适配这两类需求,同时也属于MicroLED电致发光寿命表征系统的核心供给设备之一,为MicroLED量产落地的全链路品控提供了可靠的技术支撑。
NovaLum是一款电致发光器件前向亮度、IVL、寿命与角度分布测量平台,用于测量OLED、QLED、PeLED及显示器件的亮度、效率、光色和空间发光特性。系统兼顾低亮与高亮测试。适用于微小器件、多像素阵列、显示材料、器件寿命和角度发光分析。微显示、AR/VR、OLED、QLED和PeLED器件对高亮度、低亮度、角度分布、效率滚降和寿命提出更严格要求。NovaLum的前向亮度与角度测量适合分析真实观察方向的出光性能,并支持微小器件和多像素阵列测试。
技术特点
1.支持IV、IVλ、IVL、IVLλ、器件寿命和自动角度分布测量,获得效率、光色和空间发光分布。
2.亮度范围覆盖0.01-9,999,900 cd/m²,并通过自动积分时间兼顾低亮度测量速度与高亮度防过曝。
3.提供1/3°测量角及小至Ø4.5 mm测量区域,适配面光源、微小器件和多像素阵列。
4.波长准确度达到±0.2 nm,色坐标不确定度达到±0.0015级。
5.集成自动对焦、三轴位移、可视化观察、多子器件切换及惰性气氛转移测试。
6.前向亮度、光谱、IVL、寿命和角度分布可在同一器件位置测量,便于分析出光方向与效率变化。
核心优势
1.准确前向亮度与宽动态范围解决分光辐射计低亮慢、高亮过曝以及积分球前向亮度不足的问题。
2.角度分布、寿命与IVLλ功能模块,毫秒级快速采集,测试功能全面、高效。
3.自动对焦、位移和器件切换提高微小器件、多像素和易老化样品的测试效率。
4.前向亮度、角度分布和宽动态测量更贴近显示器件的实际观察条件,适合微显示与高亮度器件研究。
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电致发光测量仪 NovaLum
MicroLED像素测试:Mapping功能的真正价值
作为新一代显示技术的主流方向之一,MicroLED凭借高亮度、长寿命的突出特性,在消费电子、车载显示、户外大屏等诸多场景展现出广阔的应用潜力。而这些优势的落地,有一个必不可少的前提:整个显示面板上每一个像素的亮度、色度表现都必须足够均匀一致。如果像素间存在明显的性能差异,不仅会直接导致屏幕出现暗点、色斑、显示不均等问题,还会拉低整体器件的使用寿命,让MicroLED的技术优势大打折扣,常规MicroLED电致发光寿命表征系统难以定位像素级寿命影响因素。
传统的MicroLED性能测试手段,通常只能获取整个器件的光电参数平均值,无法捕捉到像素级的细微差异。对于像素密度动辄达到数百万甚至更高的MicroLED阵列来说,这种“粗粒度”的测试结果,显然无法满足研发和量产阶段的品控需求,很多隐蔽的像素级缺陷很容易就此被漏过。
针对这一行业痛点,电致发光光谱测量仪NovaLum搭载的二维成像Mapping功能,专门针对MicroLED、各类微纳发光器件、多像素阵列的测试需求做了深度优化。它突破了传统测试的精度局限,可以实现对每个像素的发光强度、光谱特性的逐点精准测量,最终生成直观的EL成像亮度分布图、色度分布图,整个面板的像素性能差异通过图像就能一目了然。
为了提升测试效率和操作便捷度,这套系统还搭载了多项自动化功能:支持自动对焦与观察、自动位移调整、自动子器件切换,测试人员可以直接在配套软件中实时查看器件表面的发光状态,系统也能自动完成对焦校准,不需要反复手动调整参数,大幅降低了操作门槛,也减少了人为误差。
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对于深耕MicroLED工艺优化的研发团队来说,Mapping测试是高效定位问题的“利器”。它可以快速识别出亮度不均、存在颜色漂移的异常像素,帮助工程师反向定位工艺环节的缺陷。不管是芯片制备阶段的外延生长问题,巨量转移组装过程中的对位偏差,还是封装流程带来的性能影响,都能通过Mapping数据得到直观的反馈,帮助团队快速调整工艺参数,缩短研发迭代周期,也为后续量产阶段的良率提升提供可靠的数据支撑。
随着MicroLED商业化进程不断加快,行业对像素级品控的要求也会愈发严苛,清晰直观的EL成像可以快速锁定隐性缺陷,完善的MicroLED电致发光寿命表征系统能够为器件长期性能筑牢防线,而电致发光光谱测量仪NovaLum也将凭借成熟的Mapping功能,持续为MicroLED的技术迭代和量产降本贡献核心检测能力,助力新一代显示技术更快落地到更多应用场景。
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