广东
本月初，闪迪（SanDisk）与SK海力士（SK hynix）共同发布了下一代存储技术高带宽闪存（HBF，High Bandwidth Flash）的首个标准规范。HBF是介于HBM和固态硬盘之间的新型存储层级，不仅具备与HBM类似的高速数据传输能力，还可基于NAND闪存大幅提升容量。通过将HBM级别的读取带宽结合其8-16倍的容量，HBF有望解决AI的“存储墙”问题。
据TrendForce报道，虽然HBF已成为备受关注的新兴存储技术，但是从现有掌握的信息来看，作用可能比最初预期的要有限得多，不太可能取代绝大多数工作负载中的HBM。HBF的主要优势在于容量而非性能，可被视为大容量内存技术，并非HBM的低成本替代品，主要优势在于需要大容量内存但带宽消耗较小的工作负载。
以一个拥有72块GPU配置的机架为例，运行1万亿参数的Kimi-K2模型，在相同成本和功耗下，用HBF替代HBM大约能增加14倍的内存容量，从20.7TB提升到294.9TB，但HBF总带宽仅为HBM的60%，HBF为922TB/s，而HBM为1584TB/s。一块配备HBF的GPU或许能承担八个配备HBM的GPU所需要的存储容量需求，可是随着推理吞吐量的提升，HBF较低的带宽成为瓶颈，最终HBM仍能提供更低的每词元成本。
简单来说，未来厂商不再将HBF视为HBM的替代品，而是用于不同的应用负载，以充分发挥HBF的大容量优势，不过考虑到管理多层级存储的复杂性，英伟达和AMD可能缺乏广泛支持HBF的动力。之前就有报道称，英伟达暂时未考虑HBF，短时间内也不会引入，将继续采用HBM。
按照闪迪公布的计划，首批HBF样品计划在2027年推出，预计2028年量产。
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