北京
国家知识产权局信息显示，中科（合肥）微电子研究院有限公司申请一项名为“宽禁带半导体界面缺陷能级表征方法及系统”的专利，公开号CN122612673A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体器件测试技术领域，尤其涉及一种宽禁带半导体界面缺陷能级表征方法。该方法通过对器件施加多频率电容‑电压测试，获取电容响应数据集并计算界面态密度分布，进而确定缺陷能级位置与分布范围。将缺陷按频率特性划分为多个能级区间，生成以能级和界面深度为坐标的二维缺陷密度映射图。最终识别并量化图中峰值区域，提取主导缺陷能级的特征参数集。该方法实现了对宽禁带半导体栅极界面缺陷能级位置、密度及空间分布的高精度、可视化表征。
天眼查资料显示，中科（合肥）微电子研究院有限公司，成立于2024年，位于合肥市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本600万人民币。通过天眼查大数据分析，中科（合肥）微电子研究院有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目9次，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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