北京
国家知识产权局信息显示，武汉联拓新材料有限公司申请一项名为“碲锌镉晶体及其制备方法和应用”的专利，公开号CN122610212A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明涉及碲锌镉晶体及其制备方法和应用。其中，碲锌镉晶体中含有第一掺杂元素和第二掺杂元素，其中，第一掺杂元素选自In、Sb或者Bi中的至少一种，第二掺杂元素选自Al和/或Ga，且碲锌镉晶体中第一掺杂元素与第二掺杂元素的原子数比为1:1‑10:1，第一掺杂元素与第二掺杂元素在碲锌镉晶体中的径向偏析均≤3%，轴向偏析均≤2.2%。该碲锌镉晶体兼具高电阻率、高载流子迁移率的特性，能够满足室温半导体探测器对低噪声、高能量分辨率的应用要求。
天眼查资料显示，武汉联拓新材料有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12000万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉联拓新材料有限公司参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息4条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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